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ISC014N08NM6 Chip di circuito integrato 80V OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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ISC014N08NM6 Chip di circuito integrato 80V OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor

ISC014N08NM6 Chip di circuito integrato 80V OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor
ISC014N08NM6 Chip di circuito integrato 80V OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor

Grande immagine :  ISC014N08NM6 Chip di circuito integrato 80V OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: ISC014N08NM6
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-TSON-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union

ISC014N08NM6 Chip di circuito integrato 80V OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor

Descrizione
Numero di parte: ISC014N08NM6 Serie: OptiMOS™6
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 80 V Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30A (Ta), 279A (Tc)
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF a 40 V
Evidenziare:

MOSFET di potenza da scarico a sorgente da 80 V

,

MOSFET a canale N con corrente di scarico continua da 279 A

,

Transistor OptiMOS™ 6 a commutazione ad alta frequenza

ISC014N08NM6 Chip di circuito integrato 80V OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor
L'ISC014N08NM6 è un transistor OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET in pacchetto PG-TSON-8. Questo componente è ideale per applicazioni ad alta frequenza di commutazione tra cui telecomunicazioni, server,e sistemi solariGrazie ai miglioramenti delle prestazioni della tecnologia OptiMOSTM 6 80V, può essere utilizzato anche in applicazioni a batteria e sistemi di gestione della batteria (BMS).
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Serie OptiMOSTM 6
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 80 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 30A (Ta), 279A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 144μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 40 V
Dissipazione di potenza (Max) 3W (Ta), 254W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore PG-TSON-8-5
Confezione / Cassa 8-PowerTDFN
Caratteristiche chiave
  • N-canale, funzionamento a livello normale
  • RDS a resistenza di accensione molto bassa (accesa)
  • Prezzo di accesso eccellente x prodotto RDS ((on) (FOM)
  • Tariffa di recupero inverso molto bassa (Qrr)
  • Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona
  • Capacità di funzionamento a temperatura di 175°C
  • Indice energetico elevato per le valanghe
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I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Puoi supportare un ordine o un campione in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo ordini di campione e piccoli ordini. Il costo del campione varia a seconda del vostro ordine o delle esigenze del progetto.
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Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Per gli articoli non in magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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