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Dettagli:
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| Numero di parte: | ISC019N08NM7 | Polarità del transistor:: | N-channel |
|---|---|---|---|
| Numero di canali:: | 1 canale | Vds - Tensione di rottura Drain-Source:: | 80 V |
| Id - Corrente di scarico continua:: | 209 A | Rds On - Resistenza Drain-Source:: | 1,9 mOhms |
| Evidenziare: | MOSFET di potenza da 80 V,Chip del circuito integrato 209A,OptiMOS™ da 1 |
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| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 80 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 209A (Tc) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 7V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 87μA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5633 pF @ 40 V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 3W (Ta), 188W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Numero della parte | Pacco |
|---|---|
| CYPD727268LQXQ | VQFN-68 |
| IMBG65R040M2H | TO263-7 |
| IMBG65R050M2H | TO263-7 |
| BTG7007A1EPW | TSDSO-14 |
| CY8C4147AZES565 | 64-TQFP |
| CY8C4147AZSS595 | 64-TQFP |
| CY8C4147LDES573 | 48-QFN |
| CY8C4147LDSS583 | 48-QFN |
| CY8C4148AZAS558 | 100 LQFP |
| CY8C4148AZAS568 | 100 LQFP |
| CY8C4148AZAS595 | 64-TQFP |
| CY8C4148AZES545 | 64-LQFP |
| CY8C4148AZSS595 | 64-TQFP |
| CY8C4149AZAS555 | 64-LQFP |
| CY8C4149AZAS558 | 100 LQFP |
| CY8C4149AZES548 | 100 LQFP |
| CY8C4149AZSS555 | 64-LQFP |
| CY8C4149LDAS563 | 48-QFN |
| CY8C4149LDES543 | 48-QFN |
| CY8C4149LDES553 | 48-QFN |
| Classificazione delle specie | PG-TDSON-8 |
| IMW65R020M2H | PG-TO247-3 |
| IMZA75R027M1H | PG-TO247-4-3 |
| IMZA75R090M1H | PG-TO247-4-3 |
| IPD30N10S3L34 | PG-TO252-3-11 |
| IPTC026N12NM6 | PG-HDSOP-16 |
| IQE057N10NM6CG | PG-TTFN-9 |
| IR38060MGM18TRP | QFN-26 |
| IRF7380TRPBF | SOIC-8 |
| CYT2BL8CAAQ1AZEGST | 176-LQFP |
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