|
Dettagli:
|
| Numero di parte: | ISC034N08NM7 | Polarità del transistor:: | N-channel |
|---|---|---|---|
| Numero di canali:: | 1 canale | Vds - Tensione di rottura Drain-Source:: | 80 V |
| Id - Corrente di scarico continua:: | 122 A | Rds On - Resistenza Drain-Source:: | 3.4 mOhms |
| Evidenziare: | MOSFET di potenza con tensione drain-source da 80 V,Transistor a canale N con corrente di scarico continuo da 122 A,Chip del circuito integrato con resistenza drain-source da 3 |
||
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 80 V |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 7V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 50A, 10V |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 40 V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 3W (Ta), 115W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C |
| Numero della parte | Pacco |
|---|---|
| NXH240B120H3Q1S1G-R | Modulo |
| NXH400N100H4Q2F2SGR | Modulo |
| NCD57255DR2G | 16-SOIC |
| NCV57256DR2G | 16-SOIC |
| HDC3020DEFR | 8-VFDFN |
| DRV5055A4QDBZR | SOT-23-3 |
| DRV5032DUDMRR | 4-XFDFN |
| TMP451JQDQFRQ1 | 8-WFDFN |
| TMAG5111B2AQDBVRQ1 | SOT-23-5 |
| AMC6821SQDBQRQ1 | 16-SSOP |
| MSP430FR2676TRHAR | 40-VQFN |
| TPS16416DRCR | 10-VFDFN |
| TPS16414DRCR | 10-VFDFN |
| TPS16417DRCR | 10-VFDFN |
| TPS259813LRPWR | VQFN-10 |
| TPS25972ARPWR | 10-VFQFN |
| TPS25961DRVR | 6-WDFN |
| TPS25970LRPWR | 10-VFQFN |
| TPS259802ONRGER | 24-VFQFN |
| TPS259803ONRGER | 24-VFQFN |
| TPS26622DRCR | 10-VFDFN |
| TPS26625DRCR | 10-VFDFN |
| TPS26400RHFR | 24-VFQFN |
| TPS259474LRPWR | 10-VFQFN |
| TPS259461ARPWR | 10-VFQFN |
| TPS25974ARPWR | 10-VFQFN |
| TPS259474ARPWR | 10-VFQFN |
| TPS16530PWPR | 20-HTSSOP |
| TPS259807ONRGER | 24-VQFN |
| TPS259472LRPWR | 10-VFQFN |
Persona di contatto: Sales Manager
Telefono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753