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Casa ProdottiChip del circuito integrato

IQFH68N06NM5 Potenza MOSFET chip di circuito integrato con 60V di scarico-sorgente di tensione, 460A di scarico continuo di corrente, e ultra-basso RDS ((on) 0,68mΩ

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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IQFH68N06NM5 Potenza MOSFET chip di circuito integrato con 60V di scarico-sorgente di tensione, 460A di scarico continuo di corrente, e ultra-basso RDS ((on) 0,68mΩ

IQFH68N06NM5 Potenza MOSFET chip di circuito integrato con 60V di scarico-sorgente di tensione, 460A di scarico continuo di corrente, e ultra-basso RDS ((on) 0,68mΩ
IQFH68N06NM5 Potenza MOSFET chip di circuito integrato con 60V di scarico-sorgente di tensione, 460A di scarico continuo di corrente, e ultra-basso RDS ((on) 0,68mΩ

Grande immagine :  IQFH68N06NM5 Potenza MOSFET chip di circuito integrato con 60V di scarico-sorgente di tensione, 460A di scarico continuo di corrente, e ultra-basso RDS ((on) 0,68mΩ

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IQFH68N06NM5
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TSON-12
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IQFH68N06NM5 Potenza MOSFET chip di circuito integrato con 60V di scarico-sorgente di tensione, 460A di scarico continuo di corrente, e ultra-basso RDS ((on) 0,68mΩ

Descrizione
Numero di parte: IQFH68N06NM5 Vds - Tensione di rottura Drain-Source:: 60 V
Id - Corrente di scarico continua:: 460 A Rds On - Resistenza Drain-Source:: 1,12 Ohm
Vgs - Tensione gate-source:: - 20 V, 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source:: 2,8 V
Evidenziare:

MOSFET di potenza con tensione drain-source da 60 V

,

Chip del circuito integrato con corrente di scarico continua da 460 A

,

RDS ultrabasso(acceso) 0

IQFH68N06NM5 Chip di circuito integrato ad alte prestazioni OptiMOSTM 5 60V Potenza MOSFET Transistor
IQFH68N06NM5 MOSFET a potenza normale di 60 V è disponibile nel nostro ultimo pacchetto innovativo, compatto basato su clip PQFN 8x6 mm2 che consente livelli di corrente e potenza molto elevati.68 mΩ in combinazione con prestazioni termiche eccezionaliCiò consente una maggiore efficienza del sistema e una maggiore densità di potenza per una grande varietà di applicazioni finali come applicazioni alimentate a batteria, gestione delle batterie, unità a bassa tensione e SMPS.
Specifiche tecniche
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 60 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 48A (Ta), 460A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.68mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 217μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 252 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15900 pF @ 30 V
Dissipazione di potenza (Max) 3W (Ta), 273W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristiche chiave
  • Tecnologia di silicio all'avanguardia OptiMOSTM
  • Rapporto alto tra chip e pacchetto
  • Correnti ultra elevate in impronta compatta
  • Parassiti a confezione ultra bassa
  • Progettazione ottimizzata del telaio e del clip
  • Compatibilità dell'impronta con PQFN 5x6
  • Disegno compatto con meno paralleli
Benefici per le prestazioni
  • Perdite di conduzione minimizzate
  • Capacità di potenza elevata
  • Prestazioni superiori del dispositivo
  • Superamento di tensione ridotto
  • Prestazioni termiche superiori
  • Tavola riutilizzabile per livelli di potenza multipli
  • prestazioni di commutazione/EMI superiori
Applicazioni mirate
  • Soluzioni per veicoli elettrici leggeri
  • Soluzioni per biciclette elettriche
  • Multicopter e droni
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  • Sistemi di gestione delle batterie (BMS)
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R7S910018CBA FBGA-320
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MCP47CMB22-E/UN 10-MSOP
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MCP47CVB24T-20E/ST 20-TSSOP
MCP48CVB08T-E/ML 20-QFN
MCP47CMD22T-E/MF 10-DFN
MCP47CMD01-E/MG 16-QFN
MCP47CVD11-E/MF 10-DFN
MCP48CMD12-E/MF 10-DFN
Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Puoi supportare un ordine o un campione in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
Come spedisco il mio ordine?
Utilizziamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
E il tempo di consegna?
Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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