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Casa ProdottiChip del circuito integrato

IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET di potenza con 60V di scarico-fonte di tensione 339A corrente di scarico continua e ultra-basso RDS ((on) 1,72 mOhms

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

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IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET di potenza con 60V di scarico-fonte di tensione 339A corrente di scarico continua e ultra-basso RDS ((on) 1,72 mOhms

IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET di potenza con 60V di scarico-fonte di tensione 339A corrente di scarico continua e ultra-basso RDS ((on) 1,72 mOhms
IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET di potenza con 60V di scarico-fonte di tensione 339A corrente di scarico continua e ultra-basso RDS ((on) 1,72 mOhms

Grande immagine :  IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET di potenza con 60V di scarico-fonte di tensione 339A corrente di scarico continua e ultra-basso RDS ((on) 1,72 mOhms

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IQFH99N06NM5
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TSON-12
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET di potenza con 60V di scarico-fonte di tensione 339A corrente di scarico continua e ultra-basso RDS ((on) 1,72 mOhms

Descrizione
Numero di parte: IQFH99N06NM5 Vds - Tensione di rottura Drain-Source:: 60 V
Id - Corrente di scarico continua:: 339A Rds On - Resistenza Drain-Source:: 1,72 mOhm
Vgs - Tensione gate-source:: - 20 V, 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source:: 2,8 V
Evidenziare:

MOSFET di potenza con tensione drain-source da 60 V

,

Transistor MOSFET a corrente di scarico continuo 339A

,

Chip del circuito integrato con RDS ultra-basso (on) da 1

IQFH99N06NM5 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 5 N-Channel 60V 40A Potenza MOSFET Transistor
IQFH99N06NM5 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 5 N-Channel 60V 40A Potenza MOSFET Transistor
Descrizione del prodotto
L'IQFH99N06NM5 MOSFET a potenza normale da 60 V è dotato del nostro ultimo pacchetto PQFN 8x6 mm2 innovativo e compatto basato su clip, che consente livelli di corrente e potenza molto elevati.Questo componente offre un RDS (on) ultra-basso di 0.68 mΩ combinati con prestazioni termiche eccezionali, offrendo una maggiore efficienza del sistema e una maggiore densità di potenza per varie applicazioni, tra cui sistemi alimentati a batteria, gestione delle batterie,dispositivi a bassa tensione, e SMPS.
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Confezione / Cassa TSON-12
Polarità del transistor Canale N
Numero di canali 1 canale
Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico 60 V
Id - Corrente di scarico continua 339 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.72 mOhms
Vgs - Tensione della sorgente di porta -20 V, 20 V
Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta 2.8 V
Qg - Carico di porta 115 d.C.
Temperatura minima di funzionamento -55 °C
Temperatura massima di funzionamento +175 °C
Pd - Dissipazione di potenza 214 W
Configurazione Non sposato
Tempo di caduta 48 ns
Trasconduttanza in avanti - Min 120 S
Tipo di prodotto MOSFET
E'ora di alzarsi. 78 ns
Tempo di ritardo tipico di spegnimento 54 ns
Tempo di ritardo tipico di accensione 15 ns
Caratteristiche chiave
  • Tecnologia di silicio all'avanguardia OptiMOSTM
  • Rapporto alto tra chip e pacchetto
  • Correnti ultra elevate in impronta compatta
  • Parassiti a confezione ultra bassa
  • Progettazione ottimizzata del telaio e del clip
  • Compatibilità dell'impronta con PQFN 5x6
  • Disegno compatto con meno paralleli
Benefici per le prestazioni
  • Perdite di conduzione minimizzate
  • Capacità di potenza elevata
  • Prestazioni superiori del dispositivo
  • Superamento di tensione ridotto
  • Prestazioni termiche superiori
  • Tavola riutilizzabile per livelli di potenza multipli
  • prestazioni di commutazione/EMI superiori
Applicazioni mirate
  • Soluzioni per veicoli elettrici leggeri
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  • Multicopter e droni
  • Strumenti elettrici
  • Robotica
  • Sistemi di gestione delle batterie (BMS)
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MCP47CMB21-E/MF 10-DFN
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MCP48CVB22-E/MG 16-QFN
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MCP48CVB08T-E/ML 20-QFN
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MCP47CMD01-E/MG 16-QFN
MCP47CVD11-E/MF 10-DFN
MCP48CMD12-E/MF 10-DFN
Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare un ordine o un campione di piccole quantità?
R: Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
A: usiamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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