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IRLR3114ZTRPBF Transistor MOSFET di Potenza a Canale N HEXFET 40V 130A 5.2mOhm Circuito Integrato

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IRLR3114ZTRPBF Transistor MOSFET di Potenza a Canale N HEXFET 40V 130A 5.2mOhm Circuito Integrato

IRLR3114ZTRPBF Transistor MOSFET di Potenza a Canale N HEXFET 40V 130A 5.2mOhm Circuito Integrato
IRLR3114ZTRPBF Transistor MOSFET di Potenza a Canale N HEXFET 40V 130A 5.2mOhm Circuito Integrato

Grande immagine :  IRLR3114ZTRPBF Transistor MOSFET di Potenza a Canale N HEXFET 40V 130A 5.2mOhm Circuito Integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IRLR3114ZTRPBF
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-252-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IRLR3114ZTRPBF Transistor MOSFET di Potenza a Canale N HEXFET 40V 130A 5.2mOhm Circuito Integrato

Descrizione
Numero di parte: IRLR3114ZTRPBF Polarità del transistor:: N-channel
Numero di canali:: 1 canale Vds - Tensione di rottura Drain-Source:: 40 V
Id - Corrente di scarico continua:: 130 A Rds On - Resistenza Drain-Source:: 5,2 mOhms
Evidenziare:

MOSFET di potenza con tensione drain-source da 40 V

,

Transistor HEXFET con corrente di scarico continua da 130 A

,

Chip del circuito integrato con resistenza drain-source da 5

Circuito Integrato IRLR3114ZTRPBF Chip 40V Singolo N-Channel HEXFET Power MOSFET Transistor
Questo HEXFET Power MOSFET utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza on-resistance estremamente bassa per area di silicio. Le caratteristiche principali includono una temperatura operativa di giunzione di 175°C, una velocità di commutazione rapida e una migliore capacità di valanga ripetitiva, rendendo questo design altamente efficiente e affidabile per diverse applicazioni.
Specifiche Tecniche
Parametro Valore
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (Ossido di Metallo)
Tensione Drain-Source (Vdss) 40 V
Corrente - Drain Continua (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Tensione di Pilotaggio (Rds On Max, Rds On Min) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±16V
Capacità di Ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3810 pF @ 25 V
Dissipazione di Potenza (Max) 140W (Tc)
Temperatura Operativa -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristiche Principali
  • Tecnologia di Processo Avanzata
  • Resistenza On-Resistance Ultra Bassa
  • Temperatura Operativa 175°C
  • Commutazione Rapida
  • Valanga Ripetitiva Ammessa fino a Tjmax
  • Livello Logico
Applicazioni Primarie
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Codice Articolo Package
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JODY-W263-10B LGA
BG95-M3 MODULE
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NRF9160-SIBA-R7 LGA
LARA-L6004-00B LGA
LARA-L6804D-01B 100-LGA
LARA-L6004-01B LGA
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NRF9161-LACA-R7 127-LGA
SARA-R410M-63BWSIM LGA-96
SARA-R410M-73BWSIM LGA-96
SARA-R422-01BWSIM LGA-96
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MPCI-L220-02S MODULE
MPCI-L280-03S MODULE
SARA-R500S-01BWSIM LGA-96
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SARA-R410M-02BWSIM LGA-96
SARA-R500S-00BWSIM LGA-96
SARA-R510M8S-00BWSIM LGA-96
SARA-R510S-01BWSIM LGA-96
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Sì, tutti i prodotti sono originali, la nostra finalità è l'importazione di prodotti nuovi e originali.
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H
Hieu
Switzerland Mar 11.2026
È utile. (860)
*"Original LB11988V. Good quality, fast delivery. Highly recommend this seller for ONSEMI parts."*
J
Jarod
Malaysia Feb 19.2026
È utile. (600)
"Genuine and tested. EFR32BG13 works perfectly. Will buy again."
K
Khalid
Germany Jul 16.2025
È utile. (851)
"Genuine AEC-Q100 qualified part. Excellent isolation and accuracy for motor current sensing. Works perfectly in my EV project. 5 stars!"*
Prodotto Tag:

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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