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GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip con interfaccia SPI in package WSON-8

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
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GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip con interfaccia SPI in package WSON-8

GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip con interfaccia SPI in package WSON-8
GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip con interfaccia SPI in package WSON-8 GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip con interfaccia SPI in package WSON-8

Grande immagine :  GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip con interfaccia SPI in package WSON-8

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: GD5F1GM7UEWIGR
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: WSON-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union

GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip con interfaccia SPI in package WSON-8

Descrizione
Numero di parte: GD5F1GM7UEWIGR Tipo di prodotto: FLASH NAND
Dimensioni della memoria: 1 Gbit Corrente di lettura attiva: max: 30mA
Tipo di tempistica: Sincrono Tipo di interfaccia: DTR/Doppio/Quadruota SPI, SPI
Evidenziare:

1 Gbit di memoria IC chip

,

Interfaccia SPI SPI NAND Flash

,

CI di archiviazione dei dati del pacchetto WSON-8

GD5F1GM7UEWIGR Memoria IC Chip
1Gbit SPI NAND Flash Memory IC WSON8 Data Storage IC
Panoramica del prodotto
Il GD5F1GM7UEWIGR è un chip di memoria Flash NAND SPI da 1 Gbit della serie GD5F1GM7UE, caratterizzato da un compatto package WSON-8 (6x5mm). Questo componente offre una soluzione di archiviazione di memoria non volatile ad alta densità e ultra conveniente per sistemi embedded, costruita attorno a un core di memoria Flash NAND standard del settore. Serve come un'eccellente alternativa a SPI NOR e NAND Flash parallela standard con funzionalità avanzate.
Specifiche tecniche
Serie GD5F
Tipo di memoria Non volatile
Formato memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Dimensione memoria 1Gbit
Organizzazione memoria 256M x 4
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O, DTR
Frequenza di clock 133 MHz
Tempo ciclo di scrittura - Word, Pagina 600µs
Tempo di accesso 7 ns
Tensione di alimentazione 2.7V ~ 3.6V
Temperatura operativa -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Package / Case 8-WDFN Exposed Pad
Package del dispositivo del fornitore 8-WSON (5x6)
Caratteristiche principali
  • Memoria Flash NAND SLC da 1 Gb
  • Dimensione pagina configurabile:
    • ECC interno attivo (ECC_EN=1, predefinito): 2048 Byte + 64 Byte
    • ECC interno disattivato (ECC_EN=0): 2048 Byte + 128 Byte
  • Alta frequenza di clock:
    • 3.3V: 133 MHz SPI standard/dual/quad, 104 MHz SPI quad DTR
    • 1.8V: 104 MHz SPI standard/dual/quad, 80 MHz SPI quad DTR
  • Tensione di alimentazione singola:
    • Gamma completa 1.8V: 1.7V ~ 2.0V
    • Gamma completa 3.3V: 2.7V ~ 3.6V
  • Funzionalità di sicurezza avanzate con regione OTP da 20 KB
  • Velocità di programmazione/cancellazione/lettura ottimizzata:
    • Tempo di programmazione pagina: 320 μs tipico
    • Tempo di cancellazione blocco: 3 ms tipico
    • Tempo di lettura pagina: 120 μs massimo
  • Basso consumo energetico: corrente attiva massima 30 mA, corrente standby massima 50 μA
  • Prestazioni di accesso migliorate con cache da 2 KB per letture casuali veloci
Applicazioni
  • Sistemi di controllo industriale
  • Dispositivi Internet of Things (IoT)
  • Sistemi di videosorveglianza
  • Set-top box e router
  • Sistemi embedded per elettronica di consumo
  • Elettronica automobilistica
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Sì, tutti i prodotti sono originali. La nostra missione è l'importazione di prodotti nuovi e originali.
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5.0
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RUBY
Canada Mar 31.2026
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Austria Aug 21.2025
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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

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