IMZC120R007M2H 1200V MOSFET transistor chip di circuito integrato con PG-TO247-4 CoolSiCTM MOSFET discreto

IMZC120R007 è un dispositivo discreto MOSFET a carburo di silicio di seconda generazione 1200V della serie CoolSiCTM, ospitato in un pacchetto TO-247 a 4 pin con elevata distanza di scorrimento.

Caratteristiche diIMZC120R007

VDSS = 1200 V a Tvj = 25°C
IDDC = 181 A a Tc = 25°C
RDS ((on) = 7,5 mΩ a VGS = 18 V, Tvj = 25°C
Perdite di cambio molto basse
Funzione di sovraccarico fino a Tvj = 200°C
Cortocircuito resistenza 2 μs
tensione di soglia della porta di riferimento, VGS ((th) = 4,2 V
Robusto contro l'accensione parassitaria, può essere applicata una tensione di cancello di spegnimento a 0 V
Diodo corporeo robusto per commutazione dura
Tecnologia di interconnessione.XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

Applicazioni diIMZC120R007

Interruttore a stato solido / relè a stato solido
Carica elettronica
UPS online / UPS industriali
Invertitore a stringa
Dischi a scopo generale (GPD)
CAV
Servo-guida

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