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Chip a circuito integrato BSS169 Transistor MOSFET a canale N a modo di svuotamento 100V 170mA PG-SOT23-3

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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Chip a circuito integrato BSS169 Transistor MOSFET a canale N a modo di svuotamento 100V 170mA PG-SOT23-3

Chip a circuito integrato BSS169 Transistor MOSFET a canale N a modo di svuotamento 100V 170mA PG-SOT23-3
Chip a circuito integrato BSS169 Transistor MOSFET a canale N a modo di svuotamento 100V 170mA PG-SOT23-3

Grande immagine :  Chip a circuito integrato BSS169 Transistor MOSFET a canale N a modo di svuotamento 100V 170mA PG-SOT23-3

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BSS169
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-SOT23-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Chip a circuito integrato BSS169 Transistor MOSFET a canale N a modo di svuotamento 100V 170mA PG-SOT23-3

Descrizione
Numero di parte: BSS169 Polarità del transistor: N-channel
Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 100 V Id - Corrente di scarico continua: 170 mA
Rds On - Resistenza Drain-Source: 2.9 Ohm Qg - Carica di gate: 2,1 nC
Evidenziare:

Transistor MOSFET a canale N BSS169

,

MOSFET a modo di svuotamento 100V

,

Chip a circuito integrato SOT23-3

Chip integrato BSS169 Transistor MOSFET a canale N a modo di svuotamento da 100V 170mA PG-SOT23-3
Il BSS169 è un MOSFET a piccolo segnale a canale N a modo di svuotamento da 100V, 170mA, in un package SOT-23, progettato specificamente per applicazioni quali sorgenti di corrente costante, protezione da sovratensione e avvio di alimentatori.
Specifiche del prodotto
Serie SIPMOS®
Tipo FET Canale N, Modo di svuotamento
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Tensione Drain-Source (Vdss) 100 V
Corrente - Drain Continua (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Tensione di pilotaggio (Rds On Max, Rds On Min) 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA
Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 7 V
Vgs (Max) ±20V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 68 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (Max) 360mW (Ta)
Temperatura operativa -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Package del dispositivo del fornitore PG-SOT23
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Caratteristiche principali
  • Canale N a modo di svuotamento
  • Valutato dv/dt
  • Disponibile con indicatore V GS(th) su bobina
  • Senza alogeni
  • Placcatura piombo senza Pb; conforme a RoHS
  • Qualificato secondo AEC Q101
Applicazioni
  • IBC a media tensione (48 V)
  • Adattatori di alimentazione e caricabatterie
  • Soluzioni di alimentazione per guida DIN
  • Azionamento motore per scopi generali
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H
Hieu
Switzerland Mar 11.2026
È utile. (860)
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し
しょうた
Japan Oct 23.2025
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Z
Zaria
Austria Mar 14.2025
È utile. (3652)
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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