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2ED2183S06F CI driver gate half-bridge a corrente elevata da 650 V 2,5 A per MOSFET e IGBT

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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2ED2183S06F CI driver gate half-bridge a corrente elevata da 650 V 2,5 A per MOSFET e IGBT

2ED2183S06F CI driver gate half-bridge a corrente elevata da 650 V 2,5 A per MOSFET e IGBT
2ED2183S06F CI driver gate half-bridge a corrente elevata da 650 V 2,5 A per MOSFET e IGBT

Grande immagine :  2ED2183S06F CI driver gate half-bridge a corrente elevata da 650 V 2,5 A per MOSFET e IGBT

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: 2ED2183S06F
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: DSO-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

2ED2183S06F CI driver gate half-bridge a corrente elevata da 650 V 2,5 A per MOSFET e IGBT

Descrizione
Numero di parte: 2ED2183S06F Numero di driver: 2
Tensione - Alimentazione: 10V ~ 20V Tensione di logica - VIL, VIH: 1,1 V, 1,7 V
Corrente - uscita di punta (fonte, lavandino): 2.5A, 2.5A Alta tensione laterale - massima (linguetta per calzare gli stivali): 650 v

2ED2183S06F Chip di circuito integrato 650V 2.5A High Current Half-Bridge Gate Driver IC
Descrizione del prodotto

2ED2183S06F è un driver di cancello ad alta velocità ad alta corrente a mezzo ponte da 650V per MOSFET e IGBT, dotato di tipico sink e corrente di sorgente da 2,5A nel pacchetto DSO-8.È disponibile anche la versione del pacchetto DSO-14 per l'aumento del creepage2ED21834S06J. Basato sulla tecnologia SOI di Infineon, questo dispositivo offre un'eccellente robustezza e immunità al rumore contro le tensioni transitorie negative sul pin VS.Non sono presenti strutture tiristor parassitarie, eliminando il blocco parassitario in tutte le condizioni di temperatura e tensione.

Specificità
Parametro Valore
Numero di autisti 1 Conduttore
Numero di uscite 1 Produzione
corrente di uscita 2.5 A
Tensione di alimentazione - Min 10 V
Tensione di alimentazione - Max 20 V.
E'ora di alzarsi. 15 ns
Tempo di caduta 15 ns
Temperatura minima di funzionamento -40 °C
Temperatura massima di funzionamento + 125 °C
Tempo massimo di ritardo di spegnimento 300 ns
Tempo massimo di ritardo di accensione 300 ns
Corrente di alimentazione operativa 550 μA
Dissipazione del potere 625 mW
Ritardo di propagazione - Max. 300 ns
Caratteristiche chiave
  • Voltaggi di funzionamento (nodo VS) < +650V
  • Immunità negativa VS transitorio di 100 V
  • Diodo bootstrap ultra veloce integrato
  • Canali galleggianti per il funzionamento in bootstrap
  • Protezione integrata da sparo
  • tensione di alimentazione massima di 25 V
  • UVLO indipendente per entrambi i canali
  • Ritardo di propagazione di 200 ns
  • HIN, logica di input /LIN
  • Funzionamento logico fino a -11V su VS Pin
  • Tolleranza di tensione negativa per ingressi di -5V
  • con una lunghezza massima non superiore a 50 mm
Applicazioni
  • Strumenti elettrici
  • Strumenti elettrici senza fili e apparecchiature elettriche per esterni
  • Apparecchi per la casa
  • Controllo motore
  • Conversione di potenza
Altri componenti elettronici in magazzino
Numero della parte Pacco
ASP2100RMNTXGQFN-56
NCP81520MNTXG48-VFQFN
NCP81283MNTXGQFN-40
NCV21914DTBR2G14-TSSOP
NCV20072DMR2G8-MSOP
NCP45780IMN24RTWG12-DFN
NIV3071MTW3TWG16-WQFN
NIS3071MT4TWG16-WQFN
NIS3071MT3TWG16-WQFN
NIV3071MTW4TWG16-WQFN
SNXH75M65L3F2STGModulo
FPF2188UCXWLCSP-6
NFAQ1060L36T38-PowerDIP
NFAM3512L7B39-PowerDIP
NFAM2512L7B39-PowerDIP
NXH350N100H4Q2F2S1G-RModulo
NXH350N100H4Q2F2P1G-RModulo
NFAM1512L7B39-PowerDIP
NXH450B100H4Q2F2PG-RModulo
NXH300N95H4Q2F2SGModulo
NXH200B100H4F2SG-RModulo
NXH240B120H3Q1S1G-RModulo
NXH400N100H4Q2F2SGRModulo
NCD57255DR2G16-SOIC
NCV57256DR2G16-SOIC
HDC3020DEFR8-VFDFN
DRV5055A4QDBZRSOT-23-3
DRV5032DUDMRR4-XFDFN
TMP451JQDQFRQ18-WFDFN
TMAG5111B2AQDBVRQ1SOT-23-5
Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Puoi supportare un ordine o un campione in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
Come spedisco il mio ordine?
Utilizziamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
E il tempo di consegna?
Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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