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STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance
STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

Grande immagine :  STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: STP240N10F7
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3​
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

Descrizione
Numero di parte: STP240N10F7 Tipo FET: N-channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 100 V Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC a 10 V
Dissipazione di potenza (max): 300W (TC) Temperatura operativa: -55°C ~ 175°C (TJ)

STP240N10F7 Integrated Circuit Chip 100V STripFET F7 Power MOSFET Transistors TO-220-3
Product Overview

STP240N10F7 N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Specifications
Parameter Value
Product Category MOSFETs
Technology Si
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Id - Continuous Drain Current 110 A
Rds On - Drain-Source Resistance 3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage -20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.5 V
Qg - Gate Charge 160 nC
Minimum Operating Temperature -55 ℃
Maximum Operating Temperature +175 ℃
Pd - Power Dissipation 300 W
Channel Mode Enhancement
Tradename STripFET
Fall Time 112 ns
Product Type MOSFETs
Rise Time 139 ns
Subcategory Transistors
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 110 ns
Typical Turn-On Delay Time 49 ns
Key Features
  • Ultra low on-resistance
  • 100% avalanche tested
Applications
  • High current switching applications
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STPSC20065WY DO-247-2
STPSC30H12CWL TO-247-3
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R
RUBY
Canada Mar 31.2026
È utile. (99)
I received the package today. The goods are as described by the seller.DC:2025+ New and Original. This was a very satisfying shopping experience.
Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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