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Transistor MOSFET di potenza SPB17N80C3 con tensione drain-source da 800 V, corrente di drain continua da 17 A e tecnologia CoolMOS™

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Transistor MOSFET di potenza SPB17N80C3 con tensione drain-source da 800 V, corrente di drain continua da 17 A e tecnologia CoolMOS™

Transistor MOSFET di potenza SPB17N80C3 con tensione drain-source da 800 V, corrente di drain continua da 17 A e tecnologia CoolMOS™
Transistor MOSFET di potenza SPB17N80C3 con tensione drain-source da 800 V, corrente di drain continua da 17 A e tecnologia CoolMOS™

Grande immagine :  Transistor MOSFET di potenza SPB17N80C3 con tensione drain-source da 800 V, corrente di drain continua da 17 A e tecnologia CoolMOS™

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SPB17N80C3
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

Transistor MOSFET di potenza SPB17N80C3 con tensione drain-source da 800 V, corrente di drain continua da 17 A e tecnologia CoolMOS™

Descrizione
Numero di parte: SPB17N80C3 Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 17A (TC) Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato): 10v
Vgs (Max): ±20 V Temperatura operativa: -55°C ~ 150°C (TJ)

SPB17N80C3 Chip di circuito integrato N-Channel 800V 17A CoolMOSTM Power MOSFET Transistor
Descrizione del prodotto

SPB17N80C3 è un transistor MOSFET CoolMOSTM Power N-Channel 800V 17A nel pacchetto TO-263-3.

Specificità
Polarità del transistorCanale N
Numero di canali1 canale
Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico800 V
Id - Corrente di scarico continua17 A
Rds On - Drain-Source Resistance290 mOhms
Vgs - Tensione della sorgente di porta-20 V, 20 V
Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta2.1 V
Qg - Carico di porta88 d.C.
Temperatura minima di funzionamento-55 °C
Temperatura massima di funzionamento+ 150 °C
Pd - Dissipazione di potenza227 W
Modalità canaleMiglioramento
ConfigurazioneNon sposato
Tempo di caduta12 ns
Tipo di prodottoMOSFET
E'ora di alzarsi.15 ns
Tipo di transistor1 canale N
Tempo di ritardo tipico di spegnimento72 ns
Tempo di ritardo tipico di accensione25 ns
Peso unitario4 g
Caratteristiche chiave
  • Nuova rivoluzionaria tecnologia ad alta tensione
  • Dvd/dt nominale estremo
  • Capacità di corrente di picco elevata
  • Qualificato secondo JEDEC per applicazioni target
  • Pb-free lead plating; conforme alla normativa RoHS
  • Carica di porta ultra bassa
  • Capacità effettive estremamente basse
Applicazioni
  • Applicazioni industriali ad alta tensione di massa CC
  • Applicazione di commutazione (cioè frenatura attiva in avanti)
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Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Puoi supportare un ordine o un campione in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
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Utilizziamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
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Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

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