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PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET a canale N con tensione da drain a source di 30 V, 2,4 mΩ Rds On e corrente di drenaggio continua di 100 A

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET a canale N con tensione da drain a source di 30 V, 2,4 mΩ Rds On e corrente di drenaggio continua di 100 A

PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET a canale N con tensione da drain a source di 30 V, 2,4 mΩ Rds On e corrente di drenaggio continua di 100 A
PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET a canale N con tensione da drain a source di 30 V, 2,4 mΩ Rds On e corrente di drenaggio continua di 100 A

Grande immagine :  PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET a canale N con tensione da drain a source di 30 V, 2,4 mΩ Rds On e corrente di drenaggio continua di 100 A

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: PSMN2R4-30YLD
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: SOT-669-5
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET a canale N con tensione da drain a source di 30 V, 2,4 mΩ Rds On e corrente di drenaggio continua di 100 A

Descrizione
Numero di parte: PSMN2R4-30YLD Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 100A (TC) Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2,2 V a 1 mA

Transistor MOSFET a livello logico con chip a circuito integrato N-Channel 30V 2.4mΩ PSMN2R4-30YLD
Panoramica del prodotto

PSMN2R4-30YLD MOSFET con modalità di potenziamento a canale N con comando a gate di livello logico nel package LFPAK56. Il portafoglio NextPowerS3 che utilizza l'esclusiva tecnologia "SchottkyPlus" offre alta efficienza, prestazioni a basso picco solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o tipo Schottky integrato ma senza problematiche di corrente di dispersione elevata. NextPowerS3 è particolarmente adatto ad applicazioni ad alta efficienza con frequenze di commutazione elevate.

Specifiche tecniche
Parametro Valore
Polarità del transistor Canale N
Numero di canali 1 canale
Vds - Tensione di rottura Drain-Source 30 V
Id: corrente di scarico continua 100A
Rds On - Resistenza Drain-Source 2,4 mOhm
Vgs - Tensione gate-source -20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source 1,2 V
Qg - Carica di gate 31,3 nC
Temperatura operativa minima -55°C
Temperatura operativa massima +175°C
Pd - Dissipazione di potenza 106 W
Modalità canale Miglioramento
Configurazione Separare
Tempo d'autunno 13,9 ns
Tipo di prodotto MOSFET
Tempo di salita 27,5 ns
Tipo di transistor 1 canale N
Tempo di ritardo di spegnimento tipico 17,4 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico 16,3 ns
Alias ​​n. parte 934067965115
Peso unitario 91.420 mg
Caratteristiche principali
  • QG, QGD e QOSS ultra bassi per un'elevata efficienza del sistema, soprattutto a frequenze di commutazione più elevate
  • Commutazione superveloce con ripristino graduale; fattore s > 1
  • Picchi e squilli ridotti per progetti a bassa EMI
  • Tecnologia unica "SchottkyPlus"; Prestazioni simili a Schottky con perdita < 1μA a 25 °C
  • Ottimizzato per azionamento del cancello da 4,5 V
  • Bassa induttanza e resistenza parassita
  • Pacchetto Power SO8 con clip incollata e collegamento a stampo di saldatura ad alta affidabilità; senza colla, senza legami di fili, idoneo a 175 °C
  • Saldabile ad onda; conduttori esposti per un'ispezione visiva ottimale della saldatura
Applicazioni
  • Soluzioni on-board DC-to-DC per server e telecomunicazioni
  • Rettifica sincrona sul lato secondario nelle applicazioni di telecomunicazioni
  • Moduli regolatori di tensione (VRM)
  • Moduli punto di carico (POL).
  • Erogazione di potenza per V-core, ASIC, DDR, GPU, VGA e componenti di sistema
  • Controllo motore brushless e brushless
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Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?

Sì, tutti i prodotti sono originali, il nostro scopo è la nuova importazione originale.

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Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membri ERAI.

Potete supportare ordini o campioni di piccole quantità? Il campione è gratuito?

Sì, supportiamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda dell'ordine o del progetto.

Come spedire il mio ordine? È sicuro?

Usiamo express per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare lo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per eventuali danni al prodotto al tuo ordine.

E il tempo di consegna?

Possiamo spedire le parti in stock entro 5 giorni lavorativi. Se senza stock, confermeremo i tempi di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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