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Casa ProdottiChip del circuito integrato

IRFB7430PBF MOSFET di potenza a canale N da 40 V con corrente di drenaggio di 409 A e dissipazione di 375 W

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

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—— Sam dagli Stati Uniti

Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

—— Lina dalla Germania

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IRFB7430PBF MOSFET di potenza a canale N da 40 V con corrente di drenaggio di 409 A e dissipazione di 375 W

IRFB7430PBF MOSFET di potenza a canale N da 40 V con corrente di drenaggio di 409 A e dissipazione di 375 W
IRFB7430PBF MOSFET di potenza a canale N da 40 V con corrente di drenaggio di 409 A e dissipazione di 375 W

Grande immagine :  IRFB7430PBF MOSFET di potenza a canale N da 40 V con corrente di drenaggio di 409 A e dissipazione di 375 W

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IRFB7430PBF
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IRFB7430PBF MOSFET di potenza a canale N da 40 V con corrente di drenaggio di 409 A e dissipazione di 375 W

Descrizione
Numero di parte: IRFB7430PBF Vuoti a tensione di fonte: 40 V
Temperatura operativa: -55°C ~ 175°C (TJ) Dissipazione di potenza: 375W (TC)
Vgs (Max): ±20 V Tipo FET: N-channel

IRFB7430PBF Chip di circuito integrato 40V Single-N-Channel StrongIRFETTM Power MOSFET Transistor

IRFB7430PBF Chip di circuito integrato 40V Single-N-Channel StrongIRFETTM Power MOSFET Transistor

La famiglia MOSFET di potenza IRFB7430PBF StrongIRFETTM è ottimizzata per una bassa capacità di RDS (on) e alta capacità di corrente.Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni tra cui i motori a corrente continua, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori DC-DC.

Specificità
Parametro Valore
Polarità del transistor Canale N
Numero di canali 1 canale
Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico 40 V
Id - Corrente di scarico continua 409 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.3 mOhms
Vgs - Tensione della sorgente di porta -20 V, 20 V
Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta 1.8 V
Qg - Carico di porta 460 d.C.
Temperatura minima di funzionamento -55 °C
Temperatura massima di funzionamento +175 °C
Pd - Dissipazione di potenza 375 W
Modalità canale Miglioramento
Peso unitario 2 g
Caratteristiche
  • Classificazione di alta corrente
  • Qualificazione del prodotto secondo lo standard JEDEC
  • Silicio ottimizzato per la commutazione < 100 kHz
  • Diodo di corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
  • Pacchetto di alimentazione per fori standard del settore
  • Ampio portafoglio disponibile
Benefici
  • pacchetto di capacità di carico di corrente elevata
  • Livello di qualificazione standard del settore
  • Alte prestazioni, funzionamento a bassa frequenza
  • Maggiore densità di potenza
  • Sostituzione a scarico con pinout standard
  • Flessibilità per la selezione ottimale dei dispositivi
Applicazioni
  • Unità di controllo delle celle a combustibile (FCCU)
  • UPS offline - trasformatore ad alta frequenza
Altri prodotti disponibili
Numero della parte Pacco
MK20DN512VMC10 LFBGA121
LPC5506JBD64E HTQFP64
LPC822M101JDH20J TSSOP20
LPC804M101JDH24FP TSSOP24
LPC1837JET100E TFBGA100
S9KEAZ128AMLK LQFP80
MKL17Z64VFM4R HUQFN32
MK10DN64VLH5 LQFP64
LPC54618J512ET180E TFBGA180
LPC1517JBD64E LQFP64
LPC5528JEV98K VFBGA98
MKL02Z16VFM4 HVQFN32
MKL04Z32VLC4 LQFP32
LPC8N04FHI24Z HVQFN24
LPC4337JBD144E LQFP144
LPC54605J512ET100E TFBGA100
MK20DX256VMD10 LBGA144
LPC54S016JBD100E 100 LQFP
MKL27Z64VFM4 HUQFN32
MK20DX128VFM5 HVQFN32
MKL04Z16VFK4 HVQFN24
MKL27Z256VMP4 LFBGA64
LPC1837JBD144E LQFP144
LPC844M201JHI33Y HVQFN32
MIMXRT1021CAG4B 144-LQFP
LPC844M201JBD48K LQFP48
MIMXRT1172DVMAA 289-LFBGA
LPC54114J256UK49Z 49-UFBGA
LPC824M201JHI33K 32-HVQFN
MKL26Z256VMP4 64-LFBGA
Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare un ordine o un campione di piccole quantità?
R: Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
A: usiamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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