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IPA60R125CP 650V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua di 25A

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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IPA60R125CP 650V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua di 25A

IPA60R125CP 650V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua di 25A
IPA60R125CP 650V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua di 25A

Grande immagine :  IPA60R125CP 650V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua di 25A

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPA60R125CP
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-TO220-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union

IPA60R125CP 650V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua di 25A

Descrizione
Numero di parte: IPA60R125CP Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 650 v
Tipo FET: N-channel Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 25A (TC)
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Dissipazione di potenza (max): 35W (TC)

IPA60R125CP Chip di circuito integrato 650V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor PG-TO220-3
Visualizzazione del prodotto

IPA60R125CP è un MOSFET di potenza a canale N ad alte prestazioni della serie CoolMOS TM CP, progettato specificamente per applicazioni di conversione di potenza che richiedono un'elevata efficienza.

Specifiche tecniche
Parametro Valore
Tecnologia - Sì.
Stile di montaggio Attraverso il buco
Confezione / Cassa TO-220FP-3
Polarità del transistor Canale N
Numero di canali 1 canale
Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico 600 V
Id - Corrente di scarico continua 25 A
Rds On - Drain-Source Resistance 110 mOhms
Vgs - Tensione della sorgente di porta -20 V, 20 V
Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta 2.5 V
Qg - Carico di porta 70 d.C.
Temperatura minima di funzionamento -55°C
Temperatura massima di funzionamento + 150°C
Pd - Dissipazione di potenza 35 W
Caratteristiche chiave
  • Detettore RF a diodo Schottky interno a temperatura compensata
  • Ampia gamma di potenza di ingresso: da -34dBm a 14dBm
  • Intervallo di frequenza di ingresso ultra ampio: da 100 kHz a 1000 MHz
  • Output tamponato
  • Ampia gamma VCC da 2,7 a 6 V
  • Corrente di funzionamento bassa: 550 μA
  • Corrente di spegnimento bassa: < 2μA
  • Pacchetto ThinSOTTM a basso profilo (1 mm)
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Numero della parte Pacco
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LS1023AXN8QQA 780-FCPBGA
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Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare un ordine o un campione di piccole quantità?
R: Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
A: usiamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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