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IDL10G65C5 650V 10A CoolSiC™ Diodo Schottky Componente di potenza in carburo di silicio

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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—— Nishikawa dal Giappone

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—— Sam dagli Stati Uniti

Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

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IDL10G65C5 650V 10A CoolSiC™ Diodo Schottky Componente di potenza in carburo di silicio

IDL10G65C5 650V 10A CoolSiC™ Diodo Schottky Componente di potenza in carburo di silicio
IDL10G65C5 650V 10A CoolSiC™ Diodo Schottky Componente di potenza in carburo di silicio

Grande immagine :  IDL10G65C5 650V 10A CoolSiC™ Diodo Schottky Componente di potenza in carburo di silicio

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IDL10G65C5
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-VSON-4
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IDL10G65C5 650V 10A CoolSiC™ Diodo Schottky Componente di potenza in carburo di silicio

Descrizione
Numero di parte: IDL10G65C5 Tecnologia: Sic (carburo di silicio) Schottky
Tensione - CC inversa (Vr) (Max): 650 v Corrente - Media rettificata (Io): 10A
Corrente - Dispersione inversa @ Vr: 180 μA @ 650 V Capacità @ Vr, F: 300 pF @ 1V, 1MHz

IDL10G65C5 Chip Integrato 650V CoolSiC™ Diodi Schottky PG-VSON-4 Diodo Schottky in Carburo di Silicio
Descrizione del prodotto

IDL10G65C5 è un diodo Schottky CoolSiC™ (carburo di silicio) da 650V, 2A in un package DPAK real2pin, che raggiunge un significativo miglioramento delle prestazioni attraverso una combinazione di tecnologia a wafer sottili e un processo proprietario di bonding diffusivo.

Specifiche
Categoria di prodotto Diodi Schottky SiC
Stile di montaggio SMD/SMT
Package / Case VSON-4
Configurazione Singolo
If - Corrente diretta 10 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva 650 V
Vf - Tensione diretta 1.8 V
Ifsm - Corrente di spunto diretta 50 A
Ir - Corrente inversa 2 uA
Temperatura minima di esercizio -55°C
Temperatura massima di esercizio +150°C
Pd - Dissipazione di potenza 113 W
Caratteristiche principali
  • Rivoluzionario materiale semiconduttore - Carburo di Silicio
  • Figura di merito migliorata (Qc x Vf)
  • Nessuna carica di recupero inverso
  • Forma d'onda di recupero inverso a commutazione morbida
  • Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
  • Alta temperatura di esercizio (Tj max 175°C)
  • Capacità di sovratensione migliorata
  • Placcatura dei conduttori senza piombo; conforme RoHS
  • Qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target
  • Tensione di breakdown testata a 22 mA
  • Ottimizzato per il funzionamento ad alta temperatura
Applicazioni
  • Convertitore di bus intermedio (IBC)
  • Conversione di potenza
  • Alimentatore switching
  • Correzione del fattore di potenza
  • Inverter solare
  • Gruppo di continuità
Altri componenti elettronici in stock
Codice articolo Package
CSDM65295TVCQ QFN-FCMOD-72
TPSM828511RDYR QFN-FCMOD-9
TPSM828512RDYR QFN-FCMOD-9
TPSM8287A12BASRDVR B0QFN-39
TPSM8287A12BBSRDVR B0QFN-39
TPSM828303APVCBR QFN-FCMOD-10
TPSM828303ARDSR QFN-FCMOD-9
TLVM23615RDNR QFN-FCMOD-11
TPSM560R6HRDAR B3QFN-15
TPSM831D31MOA QFM-28
TPSM82823SILR USIP-10
LMZM33602RLRR B3QFN-18
LMZM33603RLRR B3QFN-18
TPSM84424MOLR QFM-24
TPSM84824MOLR QFM-24
NXH100B120H3Q0STG MODULO
NXH500B100H7Q2F2SHG MODULO
BCM6719A0KEFBG BGA
BCM4918A0KFBEG FCBGA
BCM67142A0KEFBG BGA
BCM67192A0KEFBG BGA
BCM6772A0KFEBG BGA
BCM6774A0KFEBG FCBGA
BCM6776A0KFEBG FCBGA
BCM68850 BGA
STGD25N36LZAG TO-252-3
IIS3DWB10IS LGA-16
CYT6BJ8DDBQ0AEEGS TQFP-176
CYT6BJ8DDBQ0AESGS TQFP-176
CYT6BJBDHBQ0BZEGS PG-LFBGA-272
Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
R: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D. Quali certificati avete?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D. Potete supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
R: Sì, supportiamo ordini di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.
D. Come spedire il mio ordine? È sicuro?
R: Utilizziamo corrieri espressi come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno ben imballati e garantiranno la sicurezza e noi siamo responsabili per eventuali danni ai prodotti del tuo ordine.
D. E i tempi di consegna?
R: Possiamo spedire i pezzi in stock entro 5 giorni lavorativi. Se non in stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità del tuo ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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