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IGC016K10S2 100V Transistor di potenza GaN E-mode Normally-Off con diodo Schottky integrato

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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IGC016K10S2 100V Transistor di potenza GaN E-mode Normally-Off con diodo Schottky integrato

IGC016K10S2 100V Transistor di potenza GaN E-mode Normally-Off con diodo Schottky integrato
IGC016K10S2 100V Transistor di potenza GaN E-mode Normally-Off con diodo Schottky integrato

Grande immagine :  IGC016K10S2 100V Transistor di potenza GaN E-mode Normally-Off con diodo Schottky integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IGC016K10S2
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-TSON-6
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IGC016K10S2 100V Transistor di potenza GaN E-mode Normally-Off con diodo Schottky integrato

Descrizione
Numero di parte: IGC016K10S2 Serie: CoolGaN™
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 100 V Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC a 5 V
Dissipazione di potenza (max): 3,3 W (Ta), 45 W (Tc) Temperatura operativa: -40 ° C ~ 150 ° C.

Transistor CoolGaN™ con chip a circuito integrato IGC016K10S2 Transistor di potenza GaN in modalità E normalmente spento da 100 V
Panoramica del prodotto

IGC016K10S2 è un transistor di potenza GaN in modalità elettronica normalmente spento da 100 V in un contenitore compatto da 3 x 5 mm con diodo Schottky integrato. Questa funzionalità integrata riduce al minimo le perdite di conduzione inversa e consente una maggiore efficienza del sistema.

Specifiche tecniche
Parametro Valore
Serie CoolGaN™
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C 29A (Ta), 108A (Tc)
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) 5 V
Rds attivo (max) @ Id, Vgs 1,6 mOhm a 30 A, 5 V
Vgs(esimo) (Max) @ Id 2,9 V a 12 mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs 16 nC a 5 V
Vg (massimo) ±6,5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF a 50 V
Dissipazione di potenza (massima) 3,3 W (Ta), 45 W (Tc)
Temperatura operativa -40°C~150°C
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Pacchetto dispositivo del fornitore PG-TSON-6-2
Pacchetto/custodia 6-PowerTDFN
Caratteristiche principali
  • Transistor di potenza in modalità elettronica da 100 V
  • Diodo Schottky integrato monoliticamente
  • Pacchetto da 3x5 mm raffreddato sul lato superiore
  • Capacità ad alta potenza
  • Nessun addebito per il recupero inverso
  • Carica di gate e di uscita estremamente bassa
  • Qualificato secondo JEDEC
  • Commutazione ultraveloce
  • Bassa tensione di conduzione inversa
  • Stampo esposto per l'eccellenza termica
  • Grado di umidità MSL1
Applicazioni
  • Soluzioni di alimentazione per data center
  • Convertitore bus intermedio (IBC)
  • Infrastruttura delle telecomunicazioni
  • Robotica
  • Controllo motorio
Altri componenti elettronici disponibili
Numero di parte Pacchetto
TPS51375VBHRWQFN-FCRLF-19
TPS513885VABRVQFN-HR-13
TPS6287B15JE2WRZVRWQFN-FCRLF-24
TPS6287B15LA0WRZVRWQFN-FCRLF-24
TPS6287B15VA0WRZVRWQFN-FCRLF-24
TPS62914RPYRVQFN-HR-14
TPS548D26RXXRWQFN-FCRLF-37
TPS62870Z0WRXSRVQFN-FCRLF-16
TPS62870Z4WRXSRVQFN-FCRLF-16
TPS546A24SRVFRLQFN-40
TPS546B24SRVFRLQFN-40
LMR51610XDBVRSOT-23-6
TPS62872Z2WRXSRVQFN-FCRLF-16
TPS62872Z4WRXSRVQFN-FCRLF-16
TPS543B22RYSRWQFN-FCRLF-17
TPS62810MWRWYRVQFN-HR-9
TPS65086100RSKRVQFN-64
LP875241MRNFRQ1VQFN-HR-26
TPSM8287A12BAMRDVTB0QFN-39
TPSM8287A12BBMRDVTB0QFN-39
TPSM861252RDXRQFN-FCMOD-7
TPSM861253RDXRQFN-FCMOD-7
TPSM863253RDXRQFN-FCMOD-7
TLVM365R15RDNRQFN-FCMOD-11
TPSM8D6B24MOWRQFM-59
TPSM63602V5RDHRB0QFN-30
TPSM53603RDARB3QFN-15
LMZ36002RVQRB3QFN-43
UCC27302AGGIUNGIHSOIC-8
UCC27302ADRSOIC-8
Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?

A: Sì, tutti i prodotti sono originali, il nostro scopo è la nuova importazione originale.

D: Quali certificati possiedi?

R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membri di ERAI.

D: Potete supportare ordini o campioni di piccole quantità? Il campione è gratuito?

A: Sì, supportiamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda dell'ordine o del progetto.

D: Come spedire il mio ordine? È sicuro?

A: Usiamo express per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare lo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per eventuali danni al prodotto al tuo ordine.

D: E il tempo di consegna?

R: Possiamo spedire le parti in stock entro 5 giorni lavorativi. Se senza stock, confermeremo i tempi di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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