Chip di memoria H5AN8G6NDJR-XNC 8Gb DDR4 SDRAM con velocità dati di 3200 Mbps in package FBGA-96

H5AN8G6NDJR-XNC è una DRAM sincrona a doppia velocità di dati CMOS IV (DDR4) da 8 GB, ideale per applicazioni di memoria principale che richiedono una grande densità di memoria e un'elevata larghezza di banda.

• VDD = VDDQ = 1,2 V +/- 0,06 V
• Funzionamento di ingressi di orologeria completamente differenziali (CK, CK)
• Strombo di dati differenziali (DQS, DQS)
• Su chip DLL allineare DQ, DQS e DQS transizione con CK transizione
• Le maschere DM scrivono i dati sia sui bordi ascendenti che discendenti dello strobe dei dati
• Supporto di latenza CAS programmabile 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 e 20
• Programmabile latenza additiva 0, CL-1 e CL-2 supportata (solo x4/x8)
• CAS programmabile latenza di scrittura (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
• Lunghezza di scatto programmabile 4/8 con modalità sequenziale e interleave
• Accendi BL in volo
• 16 banche
• Ciclo medio di aggiornamento (Tcaso 0°C-95°C)
• JEDEC standard 78ball FBGA ((x4/x8), 78ball FBGA ((x16)
• Forza del driver selezionata da MRS
• Supporto per Dynamic On Die Termination
• Due stati di terminazione come RTT_PARK e RTT_NOM commutabili da un pin ODT
• Supporto di pin di ripristino asincrono
• supporto di taratura ZQ
• TDQS (Termination Data Strobe) supportato (solo x8)
• Scrivere Livellamento supportato
• 8 bit pre-fetch
• RoHS conforme
• Disponibile la generazione di livelli interni di Vref DQ
• Scrivere CRC supportato a tutti i livelli di velocità
• Supporto per la modalità di risparmio energetico massimo
• Supporto della modalità TCAR (Temperature Controlled Auto Refresh)
• Supporto della modalità LP ASR (Low Power Auto Self Refresh)
• Supporto di aggiornamento della granularità fine
• Adressabilità supportata per DRAM
• Supporto della modalità di ingranaggio (1/2 velocità, 1/4 velocità)
• Preambolo programmabile per lettura e scrittura supportato
• Auto-Rifresh Abort supportato
• Modulo di parità CA (Command/Address Parity) supportato
• Gruppo bancario applicato con CAS alla latenza CAS per gli stessi/diversi accessi al gruppo bancario
• DBI (Data Bus Inversion) supportato (x8)

Dispositivi informatici personali:Moduli di memoria (SO-DIMM) per computer portatili ad alte prestazioni e mini-PC (NUC); Memoria integrata per PC all-in-one e desktop di base

Servitori e data center:Assemblaggi di moduli di memoria (RDIMM/UDIMM) per server di classe enterprise; nodi di bordo nelle matrici di archiviazione dei data center; pool di memoria per infrastrutture di cloud computing

Sistemi industriali e incorporati:Memoria di sistema per apparecchiature industriali di controllo e automazione; buffering dei pacchetti per apparecchiature di comunicazione di rete (router, switch);Memoria principale per dispositivi medici e strumenti di prova e misura

elettronica di consumo:Dispositivi che richiedono un'elevata larghezza di banda di memoria, quali televisori intelligenti di fascia alta, set-top box digitali e console di gioco