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F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

Name: F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: F3L11MR12W2M1
Availability: InStock

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Certificazione

La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni

Rassegne del cliente

È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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—— Lina dalla Germania

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F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

Grande immagine : F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

Dettagli:

Luogo di origine:	CN
Marca:	Original Factory
Certificazione:	Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello:	F3L11MR12W2M1

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	Contact for Sample
Imballaggi particolari:	Modulo
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T,L/C,Western Union

Contatto

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

Descrizione

Numero di parte:	F3L11MR12W2M1	Serie:	EasyPACK™
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss):	1200 V (1,2 kV)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C:	65A
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:	223nC @ 18V	Temperatura operativa:	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Modules 1200V EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 3-Level Module Product Description F3L11MR12W2M1 is EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 3-level module in ANPC topology 1200V, 11mΩ G1 with NTC and PressFIT contact technology. Specifications Product Category: MOSFET Modules Technology: SiC Mounting Style: Press Fit Package / Case: Module Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV Id - Continuous Drain Current: 100 A Rds On -

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Numero della parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Fossa

Status del prodotto: Attivo

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 950 V

Fermata di campo della fossa del modulo 950V 310A di F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 950 V

Corrente - collettore (CI) (massimo): 310 A

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Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

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Tipo di montaggio: Montaggio del telaio

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Numero della parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 750 V

Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200 A

Potenza - Max: 20 mW

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

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