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SVT2020N090SC1 Transistor MOSFET al carburo di silicio con tensione di scarico alla sorgente di 900V, basso RDSon e carica di cancello ultra bassa

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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SVT2020N090SC1 Transistor MOSFET al carburo di silicio con tensione di scarico alla sorgente di 900V, basso RDSon e carica di cancello ultra bassa

SVT2020N090SC1 Transistor MOSFET al carburo di silicio con tensione di scarico alla sorgente di 900V, basso RDSon e carica di cancello ultra bassa
SVT2020N090SC1 Transistor MOSFET al carburo di silicio con tensione di scarico alla sorgente di 900V, basso RDSon e carica di cancello ultra bassa

Grande immagine :  SVT2020N090SC1 Transistor MOSFET al carburo di silicio con tensione di scarico alla sorgente di 900V, basso RDSon e carica di cancello ultra bassa

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SVT2020N090SC1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: D2PAK-7
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

SVT2020N090SC1 Transistor MOSFET al carburo di silicio con tensione di scarico alla sorgente di 900V, basso RDSon e carica di cancello ultra bassa

Descrizione
Numero di parte: SVT2020N090SC1 Tipo: Transistor MOSFET al carburo di silicio
Pacchetto: D2PAK-7 Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 900 V
Evidenziare:

Transistor MOSFET al carburo di silicio da tensione da drenaggio a sorgente da 900 V

,

Transistor MOSFET al carburo di silicio a basso RDSon

,

Transistor MOSFET al carburo di silicio con carica di gate ultra bassa

Chip integrato SVT2020N090SC1 MOSFET in carburo di silicio da 900V 20mΩ
Panoramica del prodotto di SVT2020N090

Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) SVT2020N090SC1 utilizza una tecnologia avanzata per offrire prestazioni di commutazione superiori e affidabilità migliorata rispetto ai componenti in silicio tradizionali. Con bassa resistenza ON e un design compatto del chip, questo MOSFET garantisce una capacità minima e una carica di gate ridotta, con conseguente massima efficienza, frequenze operative più elevate, maggiore densità di potenza, ridotta EMI e dimensioni di sistema ridotte.

Caratteristiche principali di SVT2020N090
  • Bassa RDSon
  • Carica di gate ultra bassa (Qg tot)
  • Bassa capacità di uscita (Coss)
  • Testato al 100% UIL
  • Conforme a RoHS
Applicazioni di SVT2020N090
  • Convertitore DC-DC
  • Inverter Boost
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DRV8328ARUYR 28-VFQFN
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UCC27282QDDARQ1 8-SOIC
LMG3411R070RWHR VQFN32
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Tag del prodotto: SVT2020N090SC1, SVT2020N090SC, SVT2020N090S, SVT2020N090
Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali. Fornire componenti nuovi originali importati è il nostro scopo principale.
Quali certificati avete?
Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e un membro di ERAI.
Potete supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo ordini di campioni e piccole quantità. I costi dei campioni variano a seconda dei requisiti dell'ordine e delle specifiche del progetto.
Come spedite il mio ordine? È sicuro?
Utilizziamo corrieri espressi come DHL, FedEx, UPS, TNT ed EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere di fiducia. I prodotti sono imballati con cura per garantirne la sicurezza e ci assumiamo la responsabilità di eventuali danni al vostro ordine.
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Possiamo spedire i pezzi in stock entro 5 giorni lavorativi. Per gli articoli non in stock, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità del vostro ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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