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SIR626LDP 60V MOSFET di potenza a canale N con corrente di drain continua di 30,7 A e resistenza drain-source di 1,5 mOhm in package PowerPAK SO-8

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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SIR626LDP 60V MOSFET di potenza a canale N con corrente di drain continua di 30,7 A e resistenza drain-source di 1,5 mOhm in package PowerPAK SO-8

SIR626LDP 60V MOSFET di potenza a canale N con corrente di drain continua di 30,7 A e resistenza drain-source di 1,5 mOhm in package PowerPAK SO-8
SIR626LDP 60V MOSFET di potenza a canale N con corrente di drain continua di 30,7 A e resistenza drain-source di 1,5 mOhm in package PowerPAK SO-8

Grande immagine :  SIR626LDP 60V MOSFET di potenza a canale N con corrente di drain continua di 30,7 A e resistenza drain-source di 1,5 mOhm in package PowerPAK SO-8

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SIR626LDP
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PowerPAK SO-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

SIR626LDP 60V MOSFET di potenza a canale N con corrente di drain continua di 30,7 A e resistenza drain-source di 1,5 mOhm in package PowerPAK SO-8

Descrizione
Numero di parte: SIR626LDP Serie: TrenchFET® Gen IV
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 80 V Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30,7 A (Ta), 125 A (Tc)
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Evidenziare:

MOSFET di potenza con tensione drain-source da 60 V

,

MOSFET a corrente di scarico continua da 30

,

7 A

SIR626 Chip di circuito integrato 60V TrenchFET Gen IV N-Channel Power MOSFET In PowerPAK SO-8 Package
Descrizione del prodotto SIR626

SIR626 è un MOSFET ad alte prestazioni a 60 V a canale N,fabbricato utilizzando il processo TrenchFET di quarta generazione e ottimizzato per applicazioni che richiedono un'efficienza estrema e una commutazione ad alta frequenzaIl suo vantaggio principale risiede nella combinazione di una resistenza di carico estremamente bassa (1,5 mΩ) e di una carica ottimizzata del cancello (41 nC), che fornisce un valore di merito (FOM) leader del settore.rendendolo una scelta ideale per applicazioni come la conversione di potenza, rettifica sincrona e motori che richiedono un'elevata efficienza e una elevata densità di potenza.

SpecificitàDiSIR626
Parametro Valore
Categoria di prodotto MOSFET
Tecnologia - Sì.
Stile di montaggio SMD/SMT
Confezione / Cassa PowerPAK-SO-8
Polarità del transistor Canale N
Numero di canali 1 canale
Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico 60 V
Id - Corrente di scarico continua 186 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.5 mOhms
Vgs - Tensione della sorgente di porta -20 V, 20 V
Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta 1 V
Qg - Carico di porta 135 d.C.
Temperatura minima di funzionamento -55°C
Temperatura massima di funzionamento + 150°C
Pd - Dissipazione di potenza 104 W
Modalità canale Miglioramento
Configurazione Non sposato
Tempo di caduta 10 ns
Trasconduttanza in avanti - Min 140 S
Tipo di prodotto MOSFET
E'ora di alzarsi. 64 ns
Tipo di transistor 1 canale N
Tempo di ritardo tipico di spegnimento 45 ns
Tempo di ritardo tipico di accensione 17 ns
Caratteristiche chiaveDiSIR626
  • MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
  • RDS molto basso - Qg-figure-of-merit (FOM)
  • Regolato per il minimo RDS - Qoss FOM
  • 100% Rg e UIS testati
ApplicazioniDiSIR626
  • Rettifica sincrona
  • Interruttore laterale primario
  • Convertitore DC/DC
  • Microinverter solare
  • Interruttore di azionamento motore
  • Batteria e interruttore di carico
  • Industria
Altri componenti elettronici in magazzino
Numero della parte Pacco
SGT1D5R10MEA En-FCLGA 5x6
SIT92112AI DFN-8
SIT92211AI QFN-48
SIT92113AI QFN-24
SIT92216AI QFN-32
SIT92110AI QFN-32
SIT92114AI DFN-8
SIT92184AA DFN-8
SIT91211 QFN-24
SIT8924BA PQFN-4
SIT8944BA PQFN-4
SIT5503AC CQFN-10
SIT9121AI SMD-6
SIT8944BM PQFN-4
SIT9346AI SMD-6
SIT8944BI PQFN-4
SIT5541AE CQFN-10
SIT5346AI CQFN-10
SIT7601AA PQFN-4
SIT8209AI PQFN-4
SIT9356AE SMD-6
SIT9346AE SMD-6
SIT5501AI CQFN-10
SIT5501A CQFN-10
SIT5501AICWU CQFN-10
SIT9375AC PQFD-6
SIT9375AI PQFD-6
SIT9375AB PQFD-6
SIT9375AE PQFD-6
SIT9501AC PQFN-6
Tag:SIR626LDP, SIR626LD, SIR626L, SIR626
Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare un ordine o un campione di piccole quantità?
R: Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
A: usiamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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