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CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Guadagno da 6 GHz a 12 GHz Amplificatore di potenza HEMT MMIC con nitruro di gallio

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
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CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Guadagno da 6 GHz a 12 GHz Amplificatore di potenza HEMT MMIC con nitruro di gallio

CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Guadagno da 6 GHz a 12 GHz Amplificatore di potenza HEMT MMIC con nitruro di gallio
CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Guadagno da 6 GHz a 12 GHz Amplificatore di potenza HEMT MMIC con nitruro di gallio

Grande immagine :  CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Guadagno da 6 GHz a 12 GHz Amplificatore di potenza HEMT MMIC con nitruro di gallio

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: CMPA601C025F
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-59
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Guadagno da 6 GHz a 12 GHz Amplificatore di potenza HEMT MMIC con nitruro di gallio

Descrizione
Numero di parte: CMPA601C025F Guadagno: 25 dB
Frequenza operativa: da 6 GHz a 12 GHz Pd - Dissipazione di potenza: 40 W
Corrente di alimentazione operativa: 2A Temperatura operativa: -40 ° C ~ 150 ° C.
Evidenziare:

Circuito integrato GaN da 40 W

,

Guadagno 25dB GaN MMIC

,

MMIC HEMT al nitruro di gallio da 6 GHz a 12 GHz

CMPA601 GaN IC GaN MMICs 40W Nitruro di gallio HEMT MMIC Amplificatore di potenza
Visualizzazione del prodotto CMPA601

Il CMPA601 è un circuito integrato monolitico a microonde (MMIC) basato su transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) a nitruro di gallio (GaN) su un substrato di carburo di silicio, utilizzando un 0.Processo di fabbricazione di porte di lunghezza di 25 μmIl GaN sul SiC offre proprietà superiori rispetto al silicio, all'arsenuro di gallio o al GaN sul Si, tra cui una maggiore tensione di rottura, una maggiore velocità di deriva degli elettroni saturi,e maggiore conduttività termicaGli HEMT GaN forniscono anche una maggiore densità di potenza e larghezze di banda più ampie rispetto ai transistor Si, GaAs e GaN su Si.Questo MMIC presenta un approccio di progettazione dell'amplificatore abbinato in modo reattivo che consente larghezze di banda molto ampie.

SpecificitàDiCMPA601
Categoria di prodotto Amplificatore RF
Frequenza di funzionamento da 6 GHz a 12 GHz
Tensione di alimentazione di esercizio 28 V
Corrente di alimentazione operativa 2 A
Guadagno 25 dB
Tipo Amplificatori di potenza
Stile di montaggio - Non lo so.
Tecnologia GaN
P1dB - Punto di compressione 46.2 dBm
OIP3 - Intercettazione di terzo ordine 22 dBm
Temperatura minima di funzionamento -40°C
Temperatura massima di funzionamento + 150°C
Perdita di ritorno dell' input -5 dB
Numero di canali 1 canale
Pd - Dissipazione di potenza 40 W
Caratteristiche chiaveDiCMPA601
  • 34 dB Piccolo guadagno di segnale
  • 40 W PSAT tipico
  • Funzionamento fino a 28 V
  • Alta tensione di rottura
  • Operazione ad alta temperatura
  • Dimensioni 0,172 x 0,239 x 0,004 pollici
ApplicazioniDiCMPA601
  • Amplificatori a banda larga
  • Amplificatori radar
  • Amplificatori di apparecchiature di prova
  • Amplificatori di interferenza
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Etichette del prodotto
CMPA601C025F, CMPA601C025, CMPA601C02, CMPA601C0, CMPA601C, CMPA601
Domande frequenti
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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