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Dettagli:
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| Numero di parte: | OSG65R038HZF | VDS, minimo @ Tj(massimo): | 700 V |
|---|---|---|---|
| ID, impulso: | 240A | Qg: | 175nC |
| RDS(ON), massimo @ VGS=10V: | 38mΩ | Pacchetto: | TO-247 |
| Evidenziare: | MOSFET di potenza da 700 V,MOSFET da 38 mΩ,Chip del circuito integrato TO-247 |
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OSG65R038 è un MOSFET ad alta tensione caratterizzato da bassa resistenza di conduzione, bassa carica di gate e diodo a recupero rapido. Il MOSFET ad alta tensione GreenMOS® utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza di conduzione eccezionalmente bassa e una carica di gate inferiore. Progettato per minimizzare le perdite di conduzione, offre prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità di valanga.
| Parametro | Valore |
|---|---|
| VDS, min @ Tj(max) | 700V |
| ID, impulso | 240A |
| RDS(ON), max @ VGS=10V | 38mΩ |
| Qg | 175nC |
| Package | TO-247 |
| Codice Articolo | Package |
|---|---|
| FDB0190N807L | TO-263-7 |
| NCD57100DWR2G | SOIC-16W |
| NCV57100DWR2G | SOIC-16W |
| NCP81232MNTXG | QFN-40 |
| NCD5702DR2G | SOIC-16 |
| FAN65005A | PQFN-35 |
| FAN65004B | PQFN-35 |
| NCP3286MNTXG | WQFN-34 |
| FAN251015MNTXG | WQFN-34 |
| FAN251040MNTXG | WQFN-34 |
| NCP81296MNTXG | LQFN-32 |
| NCS213RMUTAG | UQFN-10 |
| NCS213RSQT2G | SC70-6 |
| NCV213RSQT2G | SC70-6 |
| NCS21914DR2G | SOIC-14 |
| NCS21914DTBR2G | TSSOP-14 |
| NCV21914DR2G | SOIC-14 |
| NCV7451MW0R2G | DFNW-14 |
| NCS7031D1G020R2G | SOIC-8 |
| NCS7031DM1G020R2G | Micro8 |
| NCV7031D1G020R2G | SOIC-8 |
| NCV7031DM1G020R2G | Micro8 |
| FFSD0665B | TO-252-3 |
| FFSM0865B | PQFN-4 |
| NIS5420MT1TXG | WDFN-10 |
| NIS5420MT2TXG | WDFN-10 |
| NIS5420MT3TXG | WDFN-10 |
| NIS5420MT4TXG | WDFN-10 |
| NIS5420MT5TXG | WDFN-10 |
| NIS5420MT6TXG | WDFN-10 |
OSG65R038HZF, OSG65R038HZ, OSG65R038H, OSG65R038
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