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IKW30N60H3 Transistor IGBT ad alta velocità da 600V 30A con circuito integrato a diodo antiparallelo

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IKW30N60H3 Transistor IGBT ad alta velocità da 600V 30A con circuito integrato a diodo antiparallelo

IKW30N60H3 Transistor IGBT ad alta velocità da 600V 30A con circuito integrato a diodo antiparallelo
IKW30N60H3 Transistor IGBT ad alta velocità da 600V 30A con circuito integrato a diodo antiparallelo

Grande immagine :  IKW30N60H3 Transistor IGBT ad alta velocità da 600V 30A con circuito integrato a diodo antiparallelo

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IKW30N60H3
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: TT
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IKW30N60H3 Transistor IGBT ad alta velocità da 600V 30A con circuito integrato a diodo antiparallelo

Descrizione
Numero di parte: IKW30N60H3 Tensione - Breakdown emettitore collettore (max): 600 V
Corrente - collettore (IC) (max): 60 a Corrente - collettore pulsato (Icm): 120 a
Vce (on) (max) @ vge, ic: 2.4V @ 15V, 30A Potenza: max: 187 W
Evidenziare:

Transistor IGBT da 600 V

,

Chip del circuito integrato da 30 A

,

IGBT ad alta velocità con diodo antiparallelo

ICW30N60H3 chip di circuito integrato 600V 30A transistor IGBT ad alta velocità con diodo anti-parallelo
Visualizzazione del prodotto IKW30N60H3

IKW30N60H3 è un TRENCHSTOPTM IGBT3 ad alta velocità da 600V e 30A con commutazione dura con diodo a ruote libere in un pacchetto TO-247.Questo componente fornisce l'equilibrio ottimale tra perdite di commutazione e di conduzione, con un comportamento di commutazione di spegnimento simile a quello del MOSFET che si traduce in basse perdite di spegnimento.

Specifiche dell'IKW30N60H3
Parametro Valore
Collector-Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Voltaggio massimo dell'emittente del cancello. -20 V, 20 V
Corrente continua a 25°C. 60 A
Pd - Dissipazione di potenza 187 W
Temperatura minima di funzionamento -40°C
Temperatura massima di funzionamento +175°C
Gatto-Emitter Leakage Current 100 nA
Peso unitario 6.500 g
Caratteristiche principali dell'IKW30N60H3
  • Basse perdite di passaggio
  • Eccellente comportamento
  • Comportamento di cambio veloce
  • Basse emissioni di EMI
  • Diodo ottimizzato per applicazioni mirate
  • Possibile la selezione di resistori a basso livello
  • Ottimo comportamento di cambio
  • Capacità di cortocircuito 5 μs
  • Tj (max) di 175°C
  • Confezionati con e senza diodo a rotazione libera
Benefici delle prestazioni dell'IKW30N60H3
  • Basse perdite di commutazione e di conduzione
  • Comportamento EMI molto buono
  • Efficienza IGBT di 600 V migliore della sua categoria
  • Alta densità di corrente
Applicazioni dell'IKW30N60H3
  • Sistemi di lavaggio e asciugatura
  • Sistemi HVAC commerciali
  • Climatizzazione residenziale
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TSB182IYDT 8-SOIC
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TSB624IYDT 14-SOIC
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Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Puoi supportare un ordine o un campione in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo ordini di campione e piccoli ordini. Il costo del campione varia a seconda del vostro ordine o delle esigenze del progetto.
Come spedisco il mio ordine?
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Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Per gli articoli non in magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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