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IRLML6346 30V 3.4A Low RDS(on) StrongIRFET Transistor di Potenza MOSFET

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

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IRLML6346 30V 3.4A Low RDS(on) StrongIRFET Transistor di Potenza MOSFET

IRLML6346 30V 3.4A Low RDS(on) StrongIRFET Transistor di Potenza MOSFET
IRLML6346 30V 3.4A Low RDS(on) StrongIRFET Transistor di Potenza MOSFET

Grande immagine :  IRLML6346 30V 3.4A Low RDS(on) StrongIRFET Transistor di Potenza MOSFET

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IRLML6346
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: SOT-23-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IRLML6346 30V 3.4A Low RDS(on) StrongIRFET Transistor di Potenza MOSFET

Descrizione
Numero di parte: IRLML6346 Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.4A (tum) Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato): 2.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Dissipazione di potenza (max): 1.3W (tum)
Evidenziare:

MOSFET di potenza da scarico a sorgente da 30 V

,

Transistor di corrente a drenaggio continuo da 3

,

4 A

IRLML6346 Circuito Integrato Chip 30V Singolo N-Channel StrongIRFET™ Transistor MOSFET di Potenza
Panoramica del Prodotto

La famiglia di MOSFET di potenza StrongIRFET™ IRLML6346 è ottimizzata per RDS(on) basso e alta corrente. I dispositivi sono ideali per applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a una vasta gamma di applicazioni tra cui motori DC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori DC-DC.

Specifiche
Polarità del Transistor: Canale N
Numero di Canali: 1 Canale
Vds - Tensione di Rottura Drain-Source: 30 V
Id - Corrente Continua di Drain: 3,4 A
Rds On - Resistenza Drain-Source: 63 mOhm
Vgs - Tensione Gate-Source: 12 V
Vgs th - Tensione di Soglia Gate-Source: 800 mV
Qg - Carica di Gate: 2,9 nC
Temperatura Minima di Esercizio: -55 °C
Temperatura Massima di Esercizio: +150 °C
Pd - Dissipazione di Potenza: 1,3 W
Peso Unitario: 8 mg
Caratteristiche
  • Package standard per montaggio superficiale di potenza
  • Qualifica secondo lo standard JEDEC
  • Applicazioni di commutazione inferiori a <100 kHz
  • Diodo di corpo più morbido
Vantaggi
  • Sostituzione diretta con pinout standard
  • Livello di qualifica standard del settore
  • Prestazioni elevate, bassa frequenza
  • Maggiore densità di potenza
Applicazioni
  • Cruscotto strumenti automobilistico
  • Salute e stile di vita
  • Robot domestici
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Codice Articolo Package
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Domande Frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, la nostra finalità è l'importazione di prodotti nuovi e originali.
Quali certificati avete?
Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Potete supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo ordini di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione è diverso a seconda del vostro ordine o progetto.
Come spedite il mio ordine? è sicuro?
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E per quanto riguarda i tempi di consegna?
Possiamo spedire i pezzi in stock entro 5 giorni lavorativi. Se non in stock, confermeremo i tempi di consegna per voi in base alla quantità del vostro ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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