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BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications
BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Grande immagine :  BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BLC10G22XS-301AVT
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: SOT1275-1
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Descrizione
Numero di parte: BLC10G22XS-301AVT Tecnologia: Ldmos
Frequenza: 2.11 GHz ~ 2.17 GHz Potenza - Uscita: 350 W
Valutazione corrente (AMPS): 1,4 µA Voltaggio: nominale: 65 v
Evidenziare:

300W LDMOS Transistor

,

2.11GHz ~ 2.17GHz Integrated Circuit Chip

,

Asymmetric Doherty RF MOSFET Transistor

BLC10G22 Integrated Circuit Chip 300W Asymmetric Doherty Power LDMOS Transistor SOT1275-1 Product Overview Of BLC10G22 BLC10G22 is a 300W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz. Specifications Of BLC10G22 Product Category RF MOSFET Transistors Technology Si Id - Continuous Drain Current 1.4 uA Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Operating Frequency 2.11 GHz to 2.17 GHz Gain 15 dB Output

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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