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BLF8G22LS-270GV Circuito Integrato Chip Transistor LDMOS 270W 28V Transistor RF Power 2.11GHz ~ 2.17GHz

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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BLF8G22LS-270GV Circuito Integrato Chip Transistor LDMOS 270W 28V Transistor RF Power 2.11GHz ~ 2.17GHz

BLF8G22LS-270GV Circuito Integrato Chip Transistor LDMOS 270W 28V Transistor RF Power 2.11GHz ~ 2.17GHz
BLF8G22LS-270GV Circuito Integrato Chip Transistor LDMOS 270W 28V Transistor RF Power 2.11GHz ~ 2.17GHz

Grande immagine :  BLF8G22LS-270GV Circuito Integrato Chip Transistor LDMOS 270W 28V Transistor RF Power 2.11GHz ~ 2.17GHz

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BLF8G22LS-270GV
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

BLF8G22LS-270GV Circuito Integrato Chip Transistor LDMOS 270W 28V Transistor RF Power 2.11GHz ~ 2.17GHz

Descrizione
Numero di parte: BLF8G22LS-270GV Tecnologia: Ldmos
Frequenza: 2.11 GHz ~ 2.17 GHz Guadagno: 17.3 dB
Tensione - Test: 28 v Corrente - test: 2,4 A
Evidenziare:

Chip del circuito integrato di potenza da 270 W

,

Transistor LDMOS di tensione 28 V

,

Transistor di potenza RF con frequenza da 2

BLF8G22 chip di circuito integrato di potenza 270W LDMOS transistor di potenza RF 28V
Visualizzazione del prodotto BLF8G22

BLF8G22 è un transistor di potenza LDMOS da 270 W con larghezza di banda video migliorata per applicazioni di stazioni base a frequenze da 2110 MHz a 2170 MHz.

SpecificitàDiBLF8G22
Tecnologia LDMOS
Frequenza 2.11 GHz ~ 2.17 GHz
Guadagno 17.3 dB
Tensione - Prova 28 V
Corrente - Prova 2.4 A
Potenza - Output 80W
Voltaggio nominale 65 V
Tipo di montaggio Montaggio del telaio
Confezione / Cassa SOT-1244C
Confezione del dispositivo del fornitore CDFM6
Caratteristiche chiaveDiBLF8G22
  • Ottima robustezza
  • Alta efficienza
  • Basso Rth che offre un'eccellente stabilità termica
  • Disegnati per il funzionamento a banda larga
  • Disaggregazione porta a una migliore larghezza di banda video (80 MHz tipica)
  • Capacità di uscita inferiore per prestazioni migliorate nelle applicazioni Doherty
  • Progettato per effetti a memoria ridotta che forniscono un'eccellente pre-distorsibilità
  • Connessione interna per la facilità d'uso
  • Protezione integrata ESD
ApplicazioniDiBLF8G22

Amplificatori di potenza RF per stazioni base e applicazioni multi-portatori nella gamma di frequenze da 2110 MHz a 2170 MHz

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Codice di riferimento: PG-TSON-8
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Etichette del prodotto
BLF8G22LS-270GV BLF8G22LS-270G BLF8G22LS-270 BLF8G22LS-27 BLF8G22LS-2 BLF8G22LS BLF8G22L BLF8G22
Domande frequenti
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Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
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Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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