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IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor per Applicazioni ad Alta Corrente

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor per Applicazioni ad Alta Corrente

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor per Applicazioni ad Alta Corrente
IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor per Applicazioni ad Alta Corrente

Grande immagine :  IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor per Applicazioni ad Alta Corrente

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IRLB3813
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor per Applicazioni ad Alta Corrente

Descrizione
Numero di parte: IRLB3813 Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 260A (TC) Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1,95 mOhm a 60 A, 10 V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Evidenziare:

MOSFET di potenza da 30V

,

Transistor MOSFET da 260 A

,

IRFET potente da 1

Circuito Integrato IRLB3813 Chip Transistor MOSFET di Potenza StrongIRFET™ N-Channel Singolo 30V
Panoramica del Prodotto IRLB3813

L'IRLB3813 è un MOSFET di potenza StrongIRFET™ N-Channel singolo a livello logico da 30V in un package TO-220.

La famiglia di MOSFET di potenza StrongIRFET™ è ottimizzata per bassa RDS(on) e alta capacità di corrente. Questi dispositivi sono ideali per applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza, affrontando applicazioni tra cui motori DC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori DC-DC.

Specifiche Tecniche IRLB3813
Polarità del Transistor Canale N
Numero di Canali 1 Canale
Vds - Tensione di Rottura Drain-Source 30 V
Id - Corrente di Drain Continua 260 A
Rds On - Resistenza Drain-Source 1.95 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source 20 V
Vgs th - Tensione di Soglia Gate-Source 1.9 V
Qg - Carica di Gate 86 nC
Temperatura Minima di Esercizio -55 °C
Temperatura Massima di Esercizio +175 °C
Pd - Dissipazione di Potenza 230 W
Tempo di Caduta 60 ns
Transconduttanza Forward - Min 140 S
Tipo di Prodotto MOSFET
Tempo di Salita 170 ns
Tempo di Spegnimento Tipico 33 ns
Tempo di Accensione Tipico 36 ns
Peso Unitario 2 g
Caratteristiche Principali IRLB3813
  • Package standard industriale through-hole
  • Elevata corrente nominale
  • Qualifica del prodotto secondo standard JEDEC
  • Applicazioni di commutazione al silicio a 100kHz
  • Diodo di corpo più morbido rispetto alla generazione precedente
  • Ampio portafoglio disponibile
Benefici del Prodotto IRLB3813
  • Sostituzione drop-in con pinout standard
  • Package ad alta capacità di corrente
  • Livello di qualifica standard industriale
  • Prestazioni elevate, bassa frequenza
  • Aumento della densità di potenza
  • Flessibilità per una selezione ottimale del dispositivo
Applicazioni IRLB3813
  • Ottimizzato per Applicazioni UPS/Inverter
  • Convertitori DC-DC Isolati ad Alta Frequenza con Raddrizzamento Sincrono per Uso Telecom e Industriale
  • Utensili Elettrici
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R: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nostra finalità è l'importazione di prodotti nuovi e originali.
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R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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R: Possiamo spedire i componenti in stock entro 5 giorni lavorativi. Se non in stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità del tuo ordine.

Prodotto Tag:

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

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