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IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

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Il servizio clienti è eccellente, sempre disponibile e disponibile, garantendo che le nostre esigenze siano soddisfatte prontamente.

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IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip
IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Grande immagine :  IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IKW25N120T2
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Descrizione
Numero di parte: IKW25N120T2 Tensione - Breakdown emettitore collettore (max): 1200 v
Corrente - collettore (IC) (max): 50 a Corrente - collettore pulsato (Icm): 100A
Potenza: max: 349 W Energia di commutazione: 2.9mJ
Evidenziare:

1200V IGBT Transistor

,

25A Integrated Circuit Chip

,

Anti-Parallel Diode Discrete IGBT

IKW25N120T2 Integrated Circuit Chip 1200V 25A IGBT Transistors With Anti-Parallel Diode Product Overview Of IKW25N120T2 IKW25N120T2 is a 1200V, 25A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247-3 package. This TRENCHSTOP™ IGBT4 device combines trench-cell and fieldstop technology for significant improvements in both static and dynamic performance. The integration with a soft recovery emitter controlled diode further minimizes turn-on losses, achieving optimal efficiency

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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