La Cina Chip del circuito integrato

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  Transistor TO-247-3 SiCFET di N-Manica del chip IMW120R220M1H 220mΩ del circuito integrato

  Numero del pezzo:IMW120R220M1H

  Ciss:289 PF

  Coss:16 PF

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  Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato

  Numero del pezzo:IMBF170R650M1

  Transconduttanza:0,65 S

  Resistenza interna del portone:25,4 Ω

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  Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa

  Numero del pezzo:IMW65R027M1H

  Serie:CoolSIC™ M1

  Tipo del FET:N-Manica

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  Transistor di N-Manica del carburo di silicio del chip IMZA65R039M1H del circuito integrato TO-247-4

  Numero del pezzo:IMZA65R039M1H

  Pacchetto/caso:TO-247-4

  Polarità del transistor:N-Manica

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  chip del circuito integrato del transistor di potenza 8-PowerVDFN di 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6

  Numero del pezzo:IAUC60N04S6N031H

  Montaggio dello stile:SMD/SMT

  Identificazione - Corrente continua dello scolo:113 A

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  Transistor 8-PowerSFN dell'ossido di metallo di N-Manica del chip IAUT240N08S5N019 del circuito integrato

  Numero del pezzo:IAUT240N08S5N019

  Serie:OptiMOS™-5

  Pacchetto:TRIBUTO (PG-HSOF-8)

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  Microcontroller del centro del chip CY8C5287AXI-LP095 32Bit del circuito integrato i singoli scheggiano LQFP100

  Numero del pezzo:CY8C5287AXI-LP095

  Montaggio del tipo:Supporto di superficie

  Gamma di tensione:1,71 - 5,5 V

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  Diodo 1200V 34A del chip IDWD10G120C5XKSA1 del circuito integrato attraverso il foro

  Numero del pezzo:IDWD10G120C5XKSA1

  Tempo di recupero inverso (trr):0 n

  Capacità @ Vr, F:730pF @ 1V, 1MHz

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  I singoli microcontroller del centro CY8C4146AZI-S455 scheggiano il chip del circuito integrato 48MHz

  Numero del pezzo:CY8C4146AZI-S455

  Oscillatore piezoelettrico esterno (ECO):4 - 33 megahertz

  Corrente del sistema di Digital:2.5uA

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  650V chip automobilistico TO-263-3 del circuito integrato del diodo Schottky AIDK10S65C5ATMA1

  Numero del pezzo:AIDK10S65C5ATMA1

  Configurazione:Singolo

  Tecnologia:Si

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  Diodo Schottky TO-263-3 del carburo di silicio del chip AIDK08S65C5ATMA1 del circuito integrato

  Numero del pezzo:AIDK08S65C5ATMA1

  Tensione inversa di punta ripetitiva:650V

  Dissipazione di potere TC = 25°C:43w

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  Ricetrasmettitore automobilistico del bus del chip AD2430WCCPZY-RL del circuito integrato audio

  Numero del pezzo:AD2430WCCPZY-RL

  Nodi secondari:16

  Lunghezza di cavo globale:80 m.

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