La Cina Chip del circuito integrato

Chip del circuito integrato dei transistor 750V del MOSFET dei transistor SCT4026DW7TL TO-263-8 sic

Numero del pezzo:SCT4026DW7TL

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

Pacchetto/caso:TO-263-7L
Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato

Numero del pezzo:SCT2280KEHRC11

Vuoti a tensione di fonte (Vdss):1200 V

Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):18V
Chip del circuito integrato dei transistor 1200V TO-247-4 del MOSFET di N-Manica SCT4036KRC15

Numero del pezzo:SCT2280KEHRC11

Il diodo del corpo ha pulsato in avanti corrente:43A

Portone - tensione di fonte (CC):-4V a +21V
Chip del circuito integrato dei transistor SCT4036KEC11 TO-247-3 del MOSFET del carburo di silicio

Numero del pezzo:SCT4036KEC11

Vuoti - la tensione di fonte:1200V

Corrente pulsata dello scolo:84A
Transistor del MOSFET del chip TO-247-4 1200V del circuito integrato di N-Manica SCT4062KRC15

Numero del pezzo:SCT4062KRC15

Qg - tassa del portone:64 nC

Vgs (massimo):+21V, -4V
Supporto di superficie dei transistor del MOSFET del chip SCT4018KW7TL del circuito integrato sic

Numero del pezzo:SCT4018KW7TL

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

RDS sopra:18 mOhms
Transistor del MOSFET di N-Manica del chip 1200V del circuito integrato di TO-247-4 SCT4018KRC15

Numero del pezzo:SCT4018KRC15

RDS (sopra) (tipo.):18mΩ

Tipo del FET:N-Manica
Del circuito integrato del chip SCT4026DEC11 TO-247-3 di N-Manica transistor del MOSFET sic

Numero del pezzo:SCT4026DEC11

RDS (sopra) (tipo.):26mΩ

Intervallo di temperatura di conservazione:-40°C a +175°C
FETs dei transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica dei transistor BUK6Y33-60PX singoli

Numero del pezzo:BUK6Y33-60PX

Vgs - tensione di Portone-fonte:- 20 V, + 20 V

Polarità del transistor:P-Manica
Chip LFPAK56 del circuito integrato dei transistor BUK6Y24-40PX del MOSFET della fossa di P-Manica

Numero del pezzo:BUK6Y24-40PX

Montaggio dello stile:SMD/SMT

Numero dei canali:1 canale
Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

Numero del pezzo:BUK6Y19-30PX

Pacchetto/caso:LFPAK56, Power-SO8

Serie:Automobilistico, AEC-Q101, TrenchMOS™
Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

Numero del pezzo:BUK6Y10-30PX

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:3V @ 250µA

Palladio - dissipazione di potere:110 W

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Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato

Chip del circuito integrato dei transistor 1200V TO-247-4 del MOSFET di N-Manica SCT4036KRC15

Chip del circuito integrato dei transistor SCT4036KEC11 TO-247-3 del MOSFET del carburo di silicio

Transistor del MOSFET del chip TO-247-4 1200V del circuito integrato di N-Manica SCT4062KRC15

Supporto di superficie dei transistor del MOSFET del chip SCT4018KW7TL del circuito integrato sic

Transistor del MOSFET di N-Manica del chip 1200V del circuito integrato di TO-247-4 SCT4018KRC15

Del circuito integrato del chip SCT4026DEC11 TO-247-3 di N-Manica transistor del MOSFET sic

FETs dei transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica dei transistor BUK6Y33-60PX singoli

Chip LFPAK56 del circuito integrato dei transistor BUK6Y24-40PX del MOSFET della fossa di P-Manica

Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

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