La Cina Chip del circuito integrato

Chip del circuito integrato dei transistor NTBG060N065SC1 D2PAK-7 650V del MOSFET di N-Manica

Numero del pezzo:NTBG060N065SC1

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:74 nC @ 18 V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:1473 PF @ 325 V
Transistor TO-263-8 del MOSFET del carburo di silicio del chip NTBG025N065SC1 del circuito integrato

Numero del pezzo:NTBG025N065SC1

Identificazione - corrente continua dello scolo:106 A

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:28,5 mOhms
Transistor del MOSFET di N-Manica del chip NTH4L075N065SC1 TO-247-4 650V del circuito integrato

Numero del pezzo:NTH4L075N065SC1

Tassa ultrabassa del portone:QG (bimbetto) = 61 nC

Capacità di uscita bassa:Coss = 107 PF
transistor NTH4L025N065SC1 del MOSFET di N-Manica 650V attraverso i chip del foro TO-247-4 IC

Numero del pezzo:NTH4L025N065SC1

Temperatura di funzionamento minima:-55°C (TJ)

Palladio - dissipazione di potere:348 W
Chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor NTHL020N120SC1 1200V del MOSFET di N-Manica

Numero del pezzo:NTHL020N120SC1

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:28mOhm @ 60A, 20V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:2890 PF @ 800 V
sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

Numero del pezzo:IMBG120R045M1H

Il cortocircuito resiste al tempo:3 µs

Tensione del portone di giro-fuori:0 V
Transistor del MOSFET della fossa del chip IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V del circuito integrato sic

Numero del pezzo:IMBG120R060M1H

Corrente pulsata dello scolo:94A

Dissipazione di potere, TC = 25°C:181W
Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Numero del pezzo:IMBG120R220M1H

Tempo di caduta:11 NS

Transconduttanza di andata - min:1,9 S
Transistor del MOSFET di potere di N-Manica del chip MSC025SMA120J del circuito integrato

Numero del pezzo:MSC025SMA120J

Temperatura di funzionamento minima:- 55 C

Temperatura di funzionamento massima:+ 175 C
N-Manica 1200V 19A 94W dei transistor IMW120R140M1H del MOSFET del carburo di silicio attraverso il foro

Numero del pezzo:IMW120R140M1H

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Polarità:N
I CI scheggiano i transistor del MOSFET di N-Manica del carburo di silicio di MSC025SMA120S 1200 V

Numero del pezzo:MSC025SMA120S

Tipo del FET:N-Manica

Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C:89A (TC)
Transistor TO-247-4 del MOSFET del chip MSC180SMA120B 1200V del circuito integrato sic

Numero del pezzo:MSC180SMA120B

Polarità del transistor:N-Manica

Montaggio dello stile:Attraverso il foro

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Transistor TO-263-8 del MOSFET del carburo di silicio del chip NTBG025N065SC1 del circuito integrato

Transistor del MOSFET di N-Manica del chip NTH4L075N065SC1 TO-247-4 650V del circuito integrato

transistor NTH4L025N065SC1 del MOSFET di N-Manica 650V attraverso i chip del foro TO-247-4 IC

Chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor NTHL020N120SC1 1200V del MOSFET di N-Manica

sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

Transistor del MOSFET della fossa del chip IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V del circuito integrato sic

Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Transistor del MOSFET di potere di N-Manica del chip MSC025SMA120J del circuito integrato

N-Manica 1200V 19A 94W dei transistor IMW120R140M1H del MOSFET del carburo di silicio attraverso il foro

I CI scheggiano i transistor del MOSFET di N-Manica del carburo di silicio di MSC025SMA120S 1200 V

Transistor TO-247-4 del MOSFET del chip MSC180SMA120B 1200V del circuito integrato sic

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