La Cina Chip del circuito integrato

chip HU2PAK-7 del circuito integrato dei transistor SCT018H65G3AG SIC del MOSFET di potere 55A

Numero del pezzo:SCT018H65G3AG

Pacchetto:HU2PAK-7

Tensione di Portone-fonte:-10V a 22V
Transistor lineari dei FETs dei transistor TO-247 del MOSFET di potere di Manica IXTH24N50L di N singoli

Numero del pezzo:IXTH24N50L

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:160 nC @ 20 V

Dissipazione di potere (massima):400W (TC)
Transistor del MOSFET di potere del carburo di silicio del chip MSC040SMA120B del circuito integrato

numero del pezzo:MSC040SMA120B

Temperatura di funzionamento minima:- 55 C

Palladio:311 W
Transistor TO-263-8 del MOSFET di potere del chip IMBG65R163M1HXTMA1 del circuito integrato

Numero del pezzo:IMBG65R163M1HXTMA1

Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):18V

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:217mOhm @ 5.7A, 18V
Transistor 8-PowerSFN del MOSFET di potere del chip IPT020N10N5ATMA1 100V del circuito integrato

Numero del pezzo:IPT020N10N5ATMA1

Dissipazione di potere (massima):273W (TC)

Tipo del FET:N-Manica
Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere

Numero del pezzo:BSZ050N03LSGATMA1

Palladio - dissipazione di potere:50 W

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:35 nC @ 10 V
Il N-Manica SCT3040KW7TL sic alimenta il chip del circuito integrato dei transistor TO-263-8 del MOSFET

Numero del pezzo:SCT3040KW7TL

Palladio - dissipazione di potere:267 W

Modo di Manica:Potenziamento
Il N-Manica del chip SCT4018KEC11 TO-247-3 del circuito integrato sic alimenta i transistor del MOSFET

Numero del pezzo:SCT4018KEC11

Tecnologia:SIC

Montaggio dello stile:Attraverso il foro
Transistor del MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCTWA35N65G2V del circuito integrato

Numero del pezzo:SCTWA35N65G2V

Tipo del FET:N-Manica

Dissipazione di potere:208W (TC)
Transistor del MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCTWA60N120G2-4 del circuito integrato

Numero del pezzo:SCTWA60N120G2-4

Tensione di ripartizione di Scolo-fonte:1,2 chilovolt

Corrente continua dello scolo:60 A
Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1

Numero del pezzo:NTH4L040N120SC1

Dissipazione di potere (massima):319W (TC)

Montaggio del tipo:Attraverso il foro
Transistor del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica 650V 90A 390W di SCTW90N65G2V

Numero del pezzo:SCTW90N65G2V

RDS sopra:25 mOhms

Tensione della soglia di Portone-fonte:1,9 V

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