La Cina Chip del circuito integrato

sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

Numero del pezzo:IMBG120R045M1H

Il cortocircuito resiste al tempo:3 µs

Tensione del portone di giro-fuori:0 V
Transistor del MOSFET della fossa del chip IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V del circuito integrato sic

Numero del pezzo:IMBG120R060M1H

Corrente pulsata dello scolo:94A

Dissipazione di potere, TC = 25°C:181W
Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Numero del pezzo:IMBG120R220M1H

Tempo di caduta:11 NS

Transconduttanza di andata - min:1,9 S
Transistor del MOSFET di potere di N-Manica del chip MSC025SMA120J del circuito integrato

Numero del pezzo:MSC025SMA120J

Temperatura di funzionamento minima:- 55 C

Temperatura di funzionamento massima:+ 175 C
N-Manica 1200V 19A 94W dei transistor IMW120R140M1H del MOSFET del carburo di silicio attraverso il foro

Numero del pezzo:IMW120R140M1H

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Polarità:N
I CI scheggiano i transistor del MOSFET di N-Manica del carburo di silicio di MSC025SMA120S 1200 V

Numero del pezzo:MSC025SMA120S

Tipo del FET:N-Manica

Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C:89A (TC)
Transistor TO-247-4 del MOSFET del chip MSC180SMA120B 1200V del circuito integrato sic

Numero del pezzo:MSC180SMA120B

Polarità del transistor:N-Manica

Montaggio dello stile:Attraverso il foro
Transistor TO-268-3 del MOSFET del chip MSC090SMA070S 700V del circuito integrato sic

numero del pezzo:MSC090SMA070S

Identificazione - Corrente continua dello scolo:25 A

resistenza termica del Giunzione--caso (tipo):1.10W/°C
Di silicio del carburo MSC015SMA070B4 di N-Manica chip dei transistor TO-247-4 IC del MOSFET sic

Numero del pezzo:MSC015SMA070B4

Corrente pulsata dello scolo:350A

Fattore riducente le imposte lineare:3.03W/°C
Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Numero del pezzo:IPBE65R075CFD7AATMA1

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:139 mOhms

Vgs - tensione di Portone-fonte:- 20 V, + 20 V
Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

Numero del pezzo:BSZ036NE2LSATMA1

Temperatura di funzionamento massima:+ 150 C

Palladio - dissipazione di potere:37 W
Chip del circuito integrato dei transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica IMBG65R030M1HXTMA1

Numero del pezzo:IMBG65R030M1HXTMA1

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:1643 PF @ 400 V

Dissipazione di potere (massima):234W (TC)

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sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

Transistor del MOSFET della fossa del chip IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V del circuito integrato sic

Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Transistor del MOSFET di potere di N-Manica del chip MSC025SMA120J del circuito integrato

N-Manica 1200V 19A 94W dei transistor IMW120R140M1H del MOSFET del carburo di silicio attraverso il foro

I CI scheggiano i transistor del MOSFET di N-Manica del carburo di silicio di MSC025SMA120S 1200 V

Transistor TO-247-4 del MOSFET del chip MSC180SMA120B 1200V del circuito integrato sic

Transistor TO-268-3 del MOSFET del chip MSC090SMA070S 700V del circuito integrato sic

Di silicio del carburo MSC015SMA070B4 di N-Manica chip dei transistor TO-247-4 IC del MOSFET sic

Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

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