La Cina Chip del circuito integrato

Transistor TO-268-3 del MOSFET del chip MSC090SMA070S 700V del circuito integrato sic

numero del pezzo:MSC090SMA070S

Identificazione - Corrente continua dello scolo:25 A

resistenza termica del Giunzione--caso (tipo):1.10W/°C
Di silicio del carburo MSC015SMA070B4 di N-Manica chip dei transistor TO-247-4 IC del MOSFET sic

Numero del pezzo:MSC015SMA070B4

Corrente pulsata dello scolo:350A

Fattore riducente le imposte lineare:3.03W/°C
Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Numero del pezzo:IPBE65R075CFD7AATMA1

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:139 mOhms

Vgs - tensione di Portone-fonte:- 20 V, + 20 V
Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

Numero del pezzo:BSZ036NE2LSATMA1

Temperatura di funzionamento massima:+ 150 C

Palladio - dissipazione di potere:37 W
Chip del circuito integrato dei transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica IMBG65R030M1HXTMA1

Numero del pezzo:IMBG65R030M1HXTMA1

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:1643 PF @ 400 V

Dissipazione di potere (massima):234W (TC)
Chip del circuito integrato dei transistor 8-PowerSFN del MOSFET di N-Manica IPT026N10N5ATMA1

Numero del pezzo:IPT026N10N5ATMA1

Identificazione (@ TC=25°C) - massimo:202 A

Identificazione (@25°C) - massimo:202 A
Tipo transistor TO-263-8 della fossa di IMBF170R450M1XTMA1 1700V del MOSFET del carburo di silicio

Numero del pezzo:IMBF170R450M1XTMA1

Pin Count:7 perni

Qg:11 nC
Chip del circuito integrato dei transistor 8-PowerSFN del MOSFET di N-Manica IPT60R022S7XTMA1

Numero del pezzo:IPT60R022S7XTMA1

Pacchetto/caso:HSOF-8

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:22 mOhms
Transistor del MOSFET di N-Manica del chip BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN del circuito integrato

Numero del pezzo:BSZ060NE2LSATMA1

Sottocategoria:MOSFETs

Larghezza:3,3 mm
Il N-Manica NVH4L160N120SC1 sic alimenta i singoli transistor TO-247-4 1200V del MOSFET

Numero del pezzo:NVH4L160N120SC1

Temperatura di funzionamento minima:- 55°C

Palladio - dissipazione di potere:111 W
Transistor TW045N120C, transistor TO-247-3 di N-Manica del MOSFET del carburo di silicio di S1F

Numero del pezzo:TW045N120C, S1F

Alta tensione:VDSS = 1200 V

resistenza termica del Manica--caso (massima):0.824°C/W
Transistor automobilistici 5-PowerSFN del MOSFET dei transistor IAUA220N08S5N021 di N-Manica

Numero del pezzo:IAUA220N08S5N021

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:3.8V @ 120µA

Tipo del FET:N-Manica

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Tipo transistor TO-263-8 della fossa di IMBF170R450M1XTMA1 1700V del MOSFET del carburo di silicio

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