La Cina Chip del circuito integrato

IDH12G65C6 chip di circuito integrato Schottky Diode 650V G6 CoolSiCTM Schottky Diode

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
IDW10G65C5 chip di circuito integrato CoolSiC Schottky Diodo 600V SiC Schottky Diodo di barriera

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
IDW12G65C5 chip di circuito integrato 650V CoolSiCTM Schottky Barrier Diodes PG-TO247-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
IDW15E65D2 Chip di circuito integrato 650V 15A Diodi di silicio TO-247-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
IDW15G120C5B Chip di circuito integrato 1200V 15A Diodo Schottky al carburo di silicio TO-247-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
IDW20C65D2 circuito integrato chip di silicio diodi di silicio 650V 20A diodi di potenza di silicio

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
IDW30C65D1 chip di circuito integrato 600V 30A diodi di potenza di silicio PG-TO247-3 diodi

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
IDW30E60 circuito integrato chip di diodi di potenza di silicio PG-TO247-3 diodi di silicio

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
IDW30E65D1 chip di circuito integrato di 650V diodo di potenza di silicio in pacchetto PG-TO247-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
I raddrizzatori scelgono il recupero zero del chip TO-247-3 del circuito integrato dei diodi MSC050SDA170B SIC

Numero del pezzo:MSC050SDA170B

Tecnologia:Sic (carburo di silicio) Schottky

Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se:1,8 V @ 50 A
Diodi TO-247-2 dei raddrizzatori del chip MSC030SDA170B del circuito integrato di SIC singoli attraverso il foro

Numero del pezzo:MSC030SDA170B

resistenza termica del Giunzione--caso (tipo):0,24 °C/W

Tensione di andata (SE = 30 A, TJ = un tipo di 25 °C):1.5V
Diodo dei diodi TO-247-2 dei raddrizzatori del chip MSC090SDA330B2 del circuito integrato di SIC singolo sic

Numero del pezzo:MSC090SDA330B2

Tensione - inverso di CC (Vr):3300V (massimo)

Tensione - di andata (Vf) @ se:2.4V @ 90A (massimo)

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IDW10G65C5 chip di circuito integrato CoolSiC Schottky Diodo 600V SiC Schottky Diodo di barriera

IDW12G65C5 chip di circuito integrato 650V CoolSiCTM Schottky Barrier Diodes PG-TO247-3

IDW15E65D2 Chip di circuito integrato 650V 15A Diodi di silicio TO-247-3

IDW15G120C5B Chip di circuito integrato 1200V 15A Diodo Schottky al carburo di silicio TO-247-3

IDW20C65D2 circuito integrato chip di silicio diodi di silicio 650V 20A diodi di potenza di silicio

IDW30C65D1 chip di circuito integrato 600V 30A diodi di potenza di silicio PG-TO247-3 diodi

IDW30E60 circuito integrato chip di diodi di potenza di silicio PG-TO247-3 diodi di silicio

IDW30E65D1 chip di circuito integrato di 650V diodo di potenza di silicio in pacchetto PG-TO247-3

I raddrizzatori scelgono il recupero zero del chip TO-247-3 del circuito integrato dei diodi MSC050SDA170B SIC

Diodi TO-247-2 dei raddrizzatori del chip MSC030SDA170B del circuito integrato di SIC singoli attraverso il foro

Diodo dei diodi TO-247-2 dei raddrizzatori del chip MSC090SDA330B2 del circuito integrato di SIC singolo sic

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