La Cina Chip del circuito integrato

chip TO-268-3 del circuito integrato del MOSFET MSC750SMA170S di potere di N-Manica 1700V

numero del pezzo:MSC750SMA170S

Numero dei canali:1 canale

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:750 mOhm
Transistor TO-247-3 del chip MSC080SMA120B del circuito integrato attraverso il foro

Numero del pezzo:MSC080SMA120B

Tensione di ripartizione di Scolo-fonte:1,2 chilovolt

Configurazione:Singolo
1700V carburo di silicio dei transistor TO-247-4 di N-Manica dei transistor MSC750SMA170B4

Numero del pezzo:MSC750SMA170B4

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):20V
I CI scheggiano il N-Manica di MSC080SMA120S 1200 transistor di superficie del supporto di V 35A 182W

Numero del pezzo:MSC080SMA120S

RDS sopra:100 mOhms

Temperatura di funzionamento minima:- 55 C
Transistor di N-Manica del chip 700V SiCFET del circuito integrato di TO-247-3 MSC090SMA070B

numero del pezzo:MSC090SMA070B

Polarità del transistor:N-Manica

Qg - tassa del portone:38 nC
Transistor di N-Manica del chip TO-268-3 del circuito integrato dei transistor MSC035SMA070S

Numero del pezzo:MSC035SMA070S

Categoria di prodotto:MOSFET

Qg - tassa del portone:5 A
Carburo di silicio dei MOSFETs TO-247-4 di N-Manica del chip MSC035SMA070B4 del circuito integrato

Numero del pezzo:MSC035SMA070B4

Capacità introdotta:2010pF (tipo)

Capacità di uscita:247pF (tipo)
N-Manica del chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor MSC035SMA070B dei MOSFETs

Numero del pezzo:MSC035SMA070B

Temperatura di funzionamento (massima):175°C (TJ)

Identificazione - Corrente continua dello scolo:77 A
supporto SOT-227 del telaio del MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio di 1200V MSC080SMA120J

Numero del pezzo:MSC080SMA120J

Tipo del FET:N-Manica

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)
MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio del chip MSC015SMA070S 700V del circuito integrato

Numero del pezzo:MSC015SMA070S

Polarità del transistor:N-Manica

Numero dei canali:1 Manica
N-Manica 700V del chip MSC015SMA070B di IC tramite i transistor del foro TO-247-3

Numero del pezzo:MSC015SMA070B

Tipo del FET:N-Manica

Tensione di controllo:20V
TO-247-3 tramite i transistor di arresto di campo della fossa del foro IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

numero del pezzo:IKQ120N120CS7XKSA1

Tipo IGBT:Fermata del campo di trincea

Stato del prodotto:Attivo

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1700V carburo di silicio dei transistor TO-247-4 di N-Manica dei transistor MSC750SMA170B4

I CI scheggiano il N-Manica di MSC080SMA120S 1200 transistor di superficie del supporto di V 35A 182W

Transistor di N-Manica del chip 700V SiCFET del circuito integrato di TO-247-3 MSC090SMA070B

Transistor di N-Manica del chip TO-268-3 del circuito integrato dei transistor MSC035SMA070S

Carburo di silicio dei MOSFETs TO-247-4 di N-Manica del chip MSC035SMA070B4 del circuito integrato

N-Manica del chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor MSC035SMA070B dei MOSFETs

supporto SOT-227 del telaio del MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio di 1200V MSC080SMA120J

MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio del chip MSC015SMA070S 700V del circuito integrato

N-Manica 700V del chip MSC015SMA070B di IC tramite i transistor del foro TO-247-3

TO-247-3 tramite i transistor di arresto di campo della fossa del foro IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

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