La Cina Chip del circuito integrato

Chip di circuito integrato IMT65R048M1HXUMA1 650V MOSFET Transistor a carburo di silicio 8PowerSFN

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Chip di circuito integrato IPB018N06NF2S Transistor di potenziamento a canale N 60V 34A

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Chip di circuito integrato IPT044N15N5 N-Channel 174V 150A 300W MOSFET Transistor

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Chip di circuito integrato GANB4R8-040CBAZ Bi-direzionale GaN FET transistor WLCSP-22

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Chip di circuito integrato GANE3R9-150QBAZ 150V Transistor FET al nitruro di gallio VQFN-7

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Chip di circuito integrato GAN039-650NTBZ 650V 33mOhm GaN FET Transistor CCPAK1212i

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Chip di circuito integrato NVTYS9D6P04M8LTWG MOSFET Potenza singolo canale P 40V 16A transistor

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Chip di circuito integrato IAUZ30N06S5L140 MOSFET Potenza N-Channel 60 V 30A Transistor

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Chip di circuito integrato NTTFS015P03P8ZTWG MOSFET Transistor a canale P singolo 30V

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Chip di circuito integrato NTMFS6H864NLT1G Transistori di potenziamento per l'automotive a canale N 80V

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Chip di circuito integrato NTMTSC1D5N08MC MOSFET Potenza Transistor a doppio raffreddamento a canale N singolo

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Chip di circuito integrato NVMFS3D6N10MCLT1G 132A 139W Transistor a carburo di silicio a canale N

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Chip di circuito integrato GANB4R8-040CBAZ Bi-direzionale GaN FET transistor WLCSP-22

Chip di circuito integrato GANE3R9-150QBAZ 150V Transistor FET al nitruro di gallio VQFN-7

Chip di circuito integrato GAN039-650NTBZ 650V 33mOhm GaN FET Transistor CCPAK1212i

Chip di circuito integrato NVTYS9D6P04M8LTWG MOSFET Potenza singolo canale P 40V 16A transistor

Chip di circuito integrato IAUZ30N06S5L140 MOSFET Potenza N-Channel 60 V 30A Transistor

Chip di circuito integrato NTTFS015P03P8ZTWG MOSFET Transistor a canale P singolo 30V

Chip di circuito integrato NTMFS6H864NLT1G Transistori di potenziamento per l'automotive a canale N 80V

Chip di circuito integrato NTMTSC1D5N08MC MOSFET Potenza Transistor a doppio raffreddamento a canale N singolo

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