La Cina Chip del circuito integrato

8-SOIC magnete esterno IC del supporto ADA4570BRZ di angolo magnetoresistente di superficie del sensore

Numero del pezzo:ADA4570BRZ

Corrente del rifornimento di funzionamento:4,5 mA

Tensione di rifornimento di funzionamento:4,5 V
Ethernet MAC Controller IC 32-VFQFN del chip DP83826IRHBR 55mA del circuito integrato

Numero del pezzo:DP83826IRHBR

Tensione - rifornimento:1.62V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V

Corrente - rifornimento:55mA
Automobilistico compiacente di Ethernet PHY DP83TC814RRHARQ1 IEEE 802.3bw di potere basso

Numero del pezzo:DP83TC814RRHARQ1

Serie:Settore automobilistico, AEC-Q100

Tipo:Ricetrasmettitore
Sistema di circuito integrato BCM6715XB0KRFBG su chip con pacchetto BGA a 160 MHz

Numero del pezzo:BCM6715XB0KRFBG

pacchetto:BGA

Tipo:Sistema su chip (SoC)
L'automobile dei transistor di arresto di campo della fossa di IGBT 1200V AFGHL40T120RLD 529W scheggia

Numero del pezzo:AFGHL40T120RLD

PACCHETTO:TO-247-3

Corrente di collettore continua a 25 C:48 A
Singoli IGBTs transistor di potere basso AFGHL40T65RQDN attraverso il pacchetto del foro TO-247-3

Numero del pezzo:AFGHL40T65RQDN

PACCHETTO:TO-247-3

Tipo:Chip dell'automobile
l'automobile 238W scheggia i transistor TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL40T65SPD IGBT

Numero del pezzo:AFGHL40T65SPD

Junction−to−case di resistenza termica, per il diodo:1.71°C/W

Corrente di collettore @ TC = 100°C:40A
L'automobile scheggia la fermata di campo di AFGHL30T65RQDN IGBT 650V tramite i transistor del foro

Numero del pezzo:AFGHL30T65RQDN

Tipo IGBT:Fermata di campo

Massimo elettrico:230,8 W
singolo IGBT transistor TO-247-3 di 28ns AFGHL40T65SQ attraverso la fermata di campo della fossa del foro 238W

Numero del pezzo:AFGHL40T65SQ

Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:2.1V @ 15V, 40A

Resistenza termica junction−to−ambient:40°C/W
L'automobile scheggia di AFGHL40T65SQD di campo di arresto il singolo IGBT transistor della fossa IGBT 40A

Numero del pezzo:AFGHL40T65SQD

Corrente - collettore pulsato (Icm):160 A

Temperatura di giunzione massima:TJ = 175°C
L'automobile di rendimento elevato scheggia i singoli IGBT transistor di AFGH75T65SQ 650V

Numero del pezzo:AFGH75T65SQ

Condizione di prova:400V, 40A, 6Ohm, 15V

Montaggio del tipo:Supporto di superficie
L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

Numero del pezzo:AFGHL50T65RQDN

Tensione transitoria di Gate−to−Emitter:±30V

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):650 V

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Automobilistico compiacente di Ethernet PHY DP83TC814RRHARQ1 IEEE 802.3bw di potere basso

Sistema di circuito integrato BCM6715XB0KRFBG su chip con pacchetto BGA a 160 MHz

L'automobile dei transistor di arresto di campo della fossa di IGBT 1200V AFGHL40T120RLD 529W scheggia

Singoli IGBTs transistor di potere basso AFGHL40T65RQDN attraverso il pacchetto del foro TO-247-3

l'automobile 238W scheggia i transistor TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL40T65SPD IGBT

L'automobile scheggia la fermata di campo di AFGHL30T65RQDN IGBT 650V tramite i transistor del foro

singolo IGBT transistor TO-247-3 di 28ns AFGHL40T65SQ attraverso la fermata di campo della fossa del foro 238W

L'automobile scheggia di AFGHL40T65SQD di campo di arresto il singolo IGBT transistor della fossa IGBT 40A

L'automobile di rendimento elevato scheggia i singoli IGBT transistor di AFGH75T65SQ 650V

L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

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