La Cina Chip del circuito integrato

Transistor 8-PowerTDFN dei MOSFETs di potere di N-Manica dei transistor BSC004NE2LS5ATMA1

Numero del pezzo:BSC004NE2LS5ATMA1

pacchetto:SuperSO8 5x6

QG (tipo @4.5V):135 nC
Chip del circuito integrato del transistor di potenza 8-PowerTDFN di N-Manica BSC100N06LS3GATMA1

Numero del pezzo:BSC100N06LS3GATMA1

QG (tipo @10V):2600 PF

Vuoti a tensione di fonte (Vdss):200 A
Transistor automobilistici TO-252-3 dei MOSFETs del grado di N-Manica IPD35N10S3L26ATMA1 100V

Numero del pezzo:IPD35N10S3L26ATMA1

Tecnologia:OptiMOS™-T

RthJC (massimo):2,1 K/W
chip 8-PowerTDFN del circuito integrato dei transistor BSZ100N03MSGATMA1 dei MOSFETs 30V

Numero del pezzo:BSZ100N03MSGATMA1

Modo di Manica:Potenziamento

Serie:OptiMOS 3M
Transistor di N-Manica 650V 39A IMW65R048M1HXKSA1 del chip del circuito integrato singoli

Numero del pezzo:IMW65R048M1HXKSA1

Tipo del FET:N-Manica

Stato del prodotto:Attivo
Supporto di superficie dei transistor IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 di N-Manica 650V 21A 114W

Numero del pezzo:IPB65R115CFD7AATMA1

Tensione di controllo:10V

Vuoti a tensione di fonte:650 V
Singoli transistor dei MOSFETs di IC Chip Through Hole TO-247-3 IMW65R072M1HXKSA1

Numero del pezzo:IMW65R072M1HXKSA1

Dissipazione di potere (massima):96W (TC)

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 150°C (TJ)
il N-Manica 80V sorge il chip del circuito integrato dei transistor IPT019N08N5ATMA1 del supporto

Numero del pezzo:IPT019N08N5ATMA1

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:1,9 mOhms

Tempo di caduta:17 NS
N-Manica 650V 32A del chip IPW65R075CFD7AXKSA1 di IC tramite i transistor del foro

Numero del pezzo:IPW65R075CFD7AXKSA1

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:68 nC @ 10 V

Dissipazione di potere (massima):171W (TC)
Transistor dei MOSFETs del supporto di superficie di P-Manica 100V 38A di AUIRF5210STRL singoli

Numero del pezzo:AUIRF5210STRL

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 150°C (TJ)

Altezza:2,3 millimetri
Tipo di superficie 100V 90A del supporto del MOSFET di potere di N-Manica del transistor IPD068N10N3GATMA1

Numero del pezzo:IPD068N10N3GATMA1

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:3.5V @ 90µA

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:68 nC @ 10 V
Transistor TO-247-4 dei MOSFETs del carburo di silicio del chip NVH4L060N090SC1 del circuito integrato

Numero del pezzo:NVH4L060N090SC1

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:87 nC @ 15 V

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:4.3V @ 5mA

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Supporto di superficie dei transistor IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 di N-Manica 650V 21A 114W

Singoli transistor dei MOSFETs di IC Chip Through Hole TO-247-3 IMW65R072M1HXKSA1

il N-Manica 80V sorge il chip del circuito integrato dei transistor IPT019N08N5ATMA1 del supporto

N-Manica 650V 32A del chip IPW65R075CFD7AXKSA1 di IC tramite i transistor del foro

Transistor dei MOSFETs del supporto di superficie di P-Manica 100V 38A di AUIRF5210STRL singoli

Tipo di superficie 100V 90A del supporto del MOSFET di potere di N-Manica del transistor IPD068N10N3GATMA1

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