La Cina Chip del circuito integrato

Singoli transistor IXYX40N250CHV TO-247-3 di IGBT attraverso il chip del circuito integrato del foro

Numero del pezzo:IXYX40N250CHV

Corrente - collettore pulsato (Icm):380 A

Energia di commutazione:11.7mJ (sopra), 6.9mJ (fuori)
Singoli IGBT transistor elettronici dei circuiti integrati IXYA30N120A4HV 106A

Numero del pezzo:IXYA30N120A4HV

Configurazione:Singolo

Palladio - dissipazione di potere:500 W
Circuiti integrati elettronici IXYX50N170C 1700V 178A 1500W tramite i transistor del foro

Numero del pezzo:IXYX50N170C

Corrente - collettore (CI) (massimo):178 A

Corrente - collettore pulsato (Icm):460 A
Singoli transistor del chip TO-264-3 del circuito integrato dei transistor IXBK64N250 di IGBTs

Numero del pezzo:IXBK64N250

Pacchetto/caso:TO-264-3

Configurazione:Singolo
Singolo IGBTs chip del circuito integrato dei transistor TO-247-3 dei transistor IXBX50N360HV

Numero del pezzo:IXBX50N360HV

Tempo di recupero inverso (trr):1,7 µs

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Del circuito integrato singoli IGBTs transistor TO-247-3 del chip IXBH32N300 attraverso il foro

Numero del pezzo:IXBH32N300

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):3000 V

Corrente - collettore (CI) (massimo):80 A
Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3

Numero del pezzo:STGWA20H65DFB2

Tensione VCEO dell'emettitore del collettore (massima):650V

Tempo di recupero inverso (trr):215 NS
Fermata automobilistica TO-247-3 del giacimento del portone della fossa del grado dei transistor STGWA60V60DWFAG di IGBT

Numero del pezzo:STGWA60V60DWFAG

Tipo introdotto:Norma

Tassa del portone:314 nC
Transistor automobilistici 650V del grado IGBT del chip STG200M65F2D8AG del circuito integrato

Numero del pezzo:STG200M65F2D8AG

Temperatura di giunzione massima:TJ = °C 175

tensione dell'Portone-emettitore:±20V
Chip di circuito integrato AIKB50N65DF5ATMA1 650V 50A IGBT automobilistici discreti transistor TO-263-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato IGW100N60H3FKSA1 Transistor discreti IGBT3 ad alta velocità 600V 100A Single TRENCHSTOPTM

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato AIKW50N65DF5XKSA1 Transistor IGBT ad alta velocità

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard

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Singolo IGBTs chip del circuito integrato dei transistor TO-247-3 dei transistor IXBX50N360HV

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Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3

Fermata automobilistica TO-247-3 del giacimento del portone della fossa del grado dei transistor STGWA60V60DWFAG di IGBT

Transistor automobilistici 650V del grado IGBT del chip STG200M65F2D8AG del circuito integrato

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