Quantità di ordine minimo:10
Prezzo:Contact for Sample
Imballaggi particolari:Pacco standard
Quantità di ordine minimo:10
Prezzo:Contact for Sample
Imballaggi particolari:Pacco standard
Quantità di ordine minimo:10
Prezzo:Contact for Sample
Imballaggi particolari:Pacco standard
Quantità di ordine minimo:10
Prezzo:Contact for Sample
Imballaggi particolari:Pacco standard
Numero della parte:IMZA65R083M1H
Corrente di impulso del diodo:143 A
Diodo continuo in avanti corrente:53 A
Numero della parte:IMBG65R260M1H
Modo di Manica:Potenziamento
Categoria di prodotto:MOSFET
Quantità di ordine minimo:10
Prezzo:Contact for Sample
Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Numero della parte:NTMYS5D3N04CTWG
Transconduttanza di andata - min:53 S
Tipo di transistor:1 canale N
Numero della parte:NTMFS6H818NLT1G
Pd - Dissipazione di potenza:140 W
Resistenza di Scolo-fonte:3,2 mOhms
Numero della parte:MT29F4G08ABAFAWP-IT: F
Organizzazione:512 M x 8
Dimensione della memoria:4 Gbit
Numero della parte:IXBH20N360HV
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore:3600 V
Corrente - collettore:70 A
Quantità di ordine minimo:10
Prezzo:Contact for Sample
Imballaggi particolari:Pacchetto standard