La Cina Chip del circuito integrato

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  16-SOIC ADA4571-2WHRZ ha integrato il condizionatore IC di AMR Angle Sensor And Signal

  Numero del pezzo:ADA4571-2WHRZ

  Resistenza:63 kOhms

  Tensione - rifornimento:3V ~ 5.5V

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  Misurazione lineare di posizione del chip 8-SOIC del circuito integrato di AMR Angle Sensor ADA4571BRZ

  Numero del pezzo:ADA4571BRZ

  VDD:2,7 V - 5,5 V

  Errore angolare massimo:0,5°

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  8-SOIC magnete esterno IC del supporto ADA4570BRZ di angolo magnetoresistente di superficie del sensore

  Numero del pezzo:ADA4570BRZ

  Corrente del rifornimento di funzionamento:4,5 mA

  Tensione di rifornimento di funzionamento:4,5 V

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  Ethernet MAC Controller IC 32-VFQFN del chip DP83826IRHBR 55mA del circuito integrato

  Numero del pezzo:DP83826IRHBR

  Tensione - rifornimento:1.62V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V

  Corrente - rifornimento:55mA

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  Automobilistico compiacente di Ethernet PHY DP83TC814RRHARQ1 IEEE 802.3bw di potere basso

  Numero del pezzo:DP83TC814RRHARQ1

  Serie:Settore automobilistico, AEC-Q100

  Tipo:Ricetrasmettitore

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  Sistema di circuito integrato BCM6715XB0KRFBG su chip con pacchetto BGA a 160 MHz

  Numero del pezzo:BCM6715XB0KRFBG

  pacchetto:BGA

  Tipo:Sistema su chip (SoC)

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  L'automobile dei transistor di arresto di campo della fossa di IGBT 1200V AFGHL40T120RLD 529W scheggia

  Numero del pezzo:AFGHL40T120RLD

  PACCHETTO:TO-247-3

  Corrente di collettore continua a 25 C:48 A

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  Singoli IGBTs transistor di potere basso AFGHL40T65RQDN attraverso il pacchetto del foro TO-247-3

  Numero del pezzo:AFGHL40T65RQDN

  PACCHETTO:TO-247-3

  Tipo:Chip dell'automobile

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  l'automobile 238W scheggia i transistor TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL40T65SPD IGBT

  Numero del pezzo:AFGHL40T65SPD

  Junction−to−case di resistenza termica, per il diodo:1.71°C/W

  Corrente di collettore @ TC = 100°C:40A

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  L'automobile scheggia la fermata di campo di AFGHL30T65RQDN IGBT 650V tramite i transistor del foro

  Numero del pezzo:AFGHL30T65RQDN

  Tipo IGBT:Fermata di campo

  Massimo elettrico:230,8 W

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  singolo IGBT transistor TO-247-3 di 28ns AFGHL40T65SQ attraverso la fermata di campo della fossa del foro 238W

  Numero del pezzo:AFGHL40T65SQ

  Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:2.1V @ 15V, 40A

  Resistenza termica junction−to−ambient:40°C/W

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  L'automobile scheggia di AFGHL40T65SQD di campo di arresto il singolo IGBT transistor della fossa IGBT 40A

  Numero del pezzo:AFGHL40T65SQD

  Corrente - collettore pulsato (Icm):160 A

  Temperatura di giunzione massima:TJ = 175°C

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