La Cina Chip del circuito integrato

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  L'automobile scheggia la fermata di campo di AFGHL30T65RQDN IGBT 650V tramite i transistor del foro

  Numero del pezzo:AFGHL30T65RQDN

  Tipo IGBT:Fermata di campo

  Massimo elettrico:230,8 W

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  singolo IGBT transistor TO-247-3 di 28ns AFGHL40T65SQ attraverso la fermata di campo della fossa del foro 238W

  Numero del pezzo:AFGHL40T65SQ

  Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:2.1V @ 15V, 40A

  Resistenza termica junction−to−ambient:40°C/W

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  L'automobile scheggia di AFGHL40T65SQD di campo di arresto il singolo IGBT transistor della fossa IGBT 40A

  Numero del pezzo:AFGHL40T65SQD

  Corrente - collettore pulsato (Icm):160 A

  Temperatura di giunzione massima:TJ = 175°C

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  L'automobile di rendimento elevato scheggia i singoli IGBT transistor di AFGH75T65SQ 650V

  Numero del pezzo:AFGH75T65SQ

  Condizione di prova:400V, 40A, 6Ohm, 15V

  Montaggio del tipo:Supporto di superficie

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  L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

  Numero del pezzo:AFGHL50T65RQDN

  Tensione transitoria di Gate−to−Emitter:±30V

  Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):650 V

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  L'automobile di superficie per tutti gli usi dei transistor del supporto AFGB40T65SQDN IGBT scheggia

  Numero del pezzo:AFGB40T65SQDN

  Tipo:Transistor

  Stato del prodotto:Attivo

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  L'automobile scheggia AFGB40T65RQDN IGBT 650V 40A mette in cortocircuito i transistor stimati FS4

  Numero del pezzo:AFGB40T65RQDN

  Corrente di collettore pulsata:160A

  Corrente di collettore:40A

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  Stia da solo i transistor di IGBT AFGHL50T65SQ l'automobile di TO-247-3 che scheggia la fermata di campo della fossa 268W

  Numero del pezzo:AFGHL50T65SQ

  Tipo IGBT:Fermata del campo di trincea

  Corrente di collettore pulsata:200A

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  L'automobile scheggia il supporto di superficie TO-263-3 dei singoli IGBT transistor di AFGB30T65SQDN

  Numero del pezzo:AFGB30T65SQDN

  Tensione dell'emettitore del portone:-20V, +20V

  Tassa del portone:56 nC

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  l'automobile di 268W AFGHL50T65SQD scheggia la singola IGBT fermata di campo della fossa dei transistor 80A di 650V

  Numero del pezzo:AFGHL50T65SQD

  Corrente di collettore pulsata:200A

  Dissipazione di potere @ TC = 25°C (massimi):268W

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  l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC

  Numero del pezzo:AFGHL50T65SQDC

  Tensione di Collector−to−Emitter:650V

  Tensione di Gate−To−Emitter:±20V

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  L'automobile scheggia AFGB30T65RQDN IGBT per il pacchetto automobilistico delle applicazioni TO−263

  Numero del pezzo:AFGB30T65RQDN

  Temperatura di giunzione massima:175°C

  PACCHETTO:TO−263

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