La Cina Chip del circuito integrato

Chip di circuito integrato ISO6720QDWVRQ1 Isolatori digitali di uso generale SOIC8

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato ISO7740FQDWRQ1 SOIC16 10.7ns Isolatori digitali rinforzati

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato ISOW7743FDFMR SOIC20 5ns Quad Channel Digital Isolators

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato ADUM120N0WBRZ 3000 Vrms Isolatori digitali a doppio canale

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato ADUM163N1BRZ 1.7V 150Mbps Isolatore digitale 16-SOIC

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
MOSFETs TO-247-4 dei FETs dei transistor del chip IMZA65R083M1H del circuito integrato

Numero della parte:IMZA65R083M1H

Corrente di impulso del diodo:143 A

Diodo continuo in avanti corrente:53 A
Transistor TO-263-8 dei MOSFETs dei FETs del carburo di silicio di N-Manica IMBG65R260M1H singoli

Numero della parte:IMBG65R260M1H

Modo di Manica:Potenziamento

Categoria di prodotto:MOSFET
Chip di circuito integrato ISO7330CQDWQ1 3000Vrms 3 canali 25Mbps Isolatore digitale

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Transistor 4-LFPAK dei MOSFETs di N-Manica del chip NTMYS5D3N04CTWG del circuito integrato

Numero della parte:NTMYS5D3N04CTWG

Transconduttanza di andata - min:53 S

Tipo di transistor:1 canale N
Transistor discreti di superficie a semiconduttore di N-Manica 80V del supporto NTMFS6H818NLT1G

Numero della parte:NTMFS6H818NLT1G

Pd - Dissipazione di potenza:140 W

Resistenza di Scolo-fonte:3,2 mOhms
Chip MT29F4G08ABAFAWP-IT del circuito integrato: La F ha multiplexato NAND Flash Memory Chip

Numero della parte:MT29F4G08ABAFAWP-IT: F

Organizzazione:512 M x 8

Dimensione della memoria:4 Gbit
Del circuito integrato singoli IGBT transistor del chip IXBH20N360HV attraverso il foro

Numero della parte:IXBH20N360HV

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore:3600 V

Corrente - collettore:70 A

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Chip di circuito integrato ADUM163N1BRZ 1.7V 150Mbps Isolatore digitale 16-SOIC

MOSFETs TO-247-4 dei FETs dei transistor del chip IMZA65R083M1H del circuito integrato

Transistor TO-263-8 dei MOSFETs dei FETs del carburo di silicio di N-Manica IMBG65R260M1H singoli

Chip di circuito integrato ISO7330CQDWQ1 3000Vrms 3 canali 25Mbps Isolatore digitale

Transistor 4-LFPAK dei MOSFETs di N-Manica del chip NTMYS5D3N04CTWG del circuito integrato

Transistor discreti di superficie a semiconduttore di N-Manica 80V del supporto NTMFS6H818NLT1G

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