La Cina Chip del circuito integrato

Transistor dei MOSFETs di N-Manica del chip SCT3022ALHRC11 650V 93A 339W di IC singoli

Numero del pezzo:SCT3022ALHRC11

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:133 nC @ 18 V

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)
Transistor TO-247-3 dei MOSFETs del chip SCT3105KLHRC11 del circuito integrato singoli

Numero del pezzo:SCT3105KLHRC11

Dissipazione di potere:134W

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:5,6 V a 3,81 mA
Transistor SCT3017ALHRC11 TO-247-3 di N-Manica 650V 118A 427W attraverso il foro

Numero del pezzo:SCT3017ALHRC11

Peso specifico:6 g

Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori:64 n
Transistor dei MOSFETs del chip 1200V 30A SCT3080KW7TL del circuito integrato singoli

Numero del pezzo:SCT3080KW7TL

Montaggio del tipo:Supporto di superficie

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:785 PF @ 800 V
Supporto di superficie dei transistor SCT3105KW7TL TO-263-8 dei MOSFETs di IC Chip Single

Numero del pezzo:SCT3105KW7TL

Temperatura di funzionamento massima:+ 175 C

Qg - tassa del portone:51 nC
Transistor di N-Manica 650V 29A 125WSCT3080AW7TL del chip del circuito integrato

Numero del pezzo:SCT3080AW7TL

Polarità del transistor:N-Manica

Identificazione - corrente continua dello scolo:29 A
Chip automobilistico TO-247-3 1200V del circuito integrato dei transistor SCT2450KEHRC11 del grado

Numero del pezzo:SCT2450KEHRC11

Pacchetto/caso:TO-247-3

Serie:Automobilistico, AEC-Q101
Singolo chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor SCT3080KLHRC11 dei FETs attraverso il foro

Numero del pezzo:SCT3080KLHRC11

Modo di Manica:Potenziamento

Tempo di caduta:24 NS
Transistor di N-Manica 650V 21A TO-247-3 del chip SCT3120ALHRC11 del circuito integrato

Numero del pezzo:SCT3120ALHRC11

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:460 PF @ 500 V

Dissipazione di potere:103W
chip del circuito integrato dei transistor SCT2750NYTB TO-268-3 dei MOSFETs di N-Manica 1700V

Numero del pezzo:SCT2750NYTB

Tempo di caduta:63 NS

Transconduttanza di andata (min):spettrografia di massa 600
Transistor dei MOSFETs del carburo di silicio del chip SCT3030KLGC11 di IC singoli attraverso il foro

Numero del pezzo:SCT3030KLGC11

Temperatura di funzionamento minima:- 55 C

Temperatura di funzionamento massima:+ 175 C
il N-Manica automobilistico del grado di 650V 39A SCT3060ALHRC11 sic alimenta il MOSFET

Numero del pezzo:SCT3060ALHRC11

Tipo del FET:N-Manica

Vuoti a tensione di fonte (Vdss):650 V

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Transistor di N-Manica 650V 29A 125WSCT3080AW7TL del chip del circuito integrato

Chip automobilistico TO-247-3 1200V del circuito integrato dei transistor SCT2450KEHRC11 del grado

Singolo chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor SCT3080KLHRC11 dei FETs attraverso il foro

Transistor di N-Manica 650V 21A TO-247-3 del chip SCT3120ALHRC11 del circuito integrato

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