La Cina Chip del circuito integrato

Chip di circuito integrato IKP40N65H5XKSA1 Transistor IGBT ad alta velocità con diodo anti-parallelo morbido TO-220-3

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Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato STGD10HF60KD di grado automotive 10A 600V IGBT a corto circuito robusto con diodo ultraveloce

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Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato NGTB40N65IHRTG Transistori IGBT con diodo monolitico a conduttore inverso

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Chip di circuito integrato AFBR-S4N44P014M Photodiode 420nm Single Element

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Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NDSH50120C Diodi di carburo di silicio Schottky 1,2 kV TO-247-2

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LTC4451AV chip di circuito integrato Diodo Schottky ad alte prestazioni 7A Diodi ideali

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IDP30E65D1 chip di circuito integrato 650 V diodo di potenza al silicio TO-220-2 pacchetto

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Chip di circuito integrato STTH6012WL 1200V 60A Diodo ad alta tensione ultraveloce

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Chip di circuito integrato STGB19NC60HDT4 Transistor IGBT molto veloci con diodo ultraveloce

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Chip di circuito integrato IXYT12N250CV1HV Transistor IGBT ad alta tensione con diodo

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Chip di circuito integrato FFSH15120ADN-F155 1.2kV 15A Schottky diodo al carburo di silicio

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Chip di circuito integrato IGP30N65H5XKSA1 Transistor IGBT ad alta velocità 650V TO-220-3

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