La Cina Chip del circuito integrato

JANTXVP2N2222AUB circuito integrato chip radiation hardened NPN transistor di commutazione al silicio

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JANSR2N7589U3 Circuito integrato Chip 150V N-Channel MOSFET a prova di radiazioni

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JANSR2N7584T1 Chip di circuito integrato 200V 45A Transistor MOSFET a canale N a potenza singola

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JANSF2N7587U3 Chip di circuito integrato 100V Transistor MOSFET N-Channel con radioterapia

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JANS1N6316DUS chip di circuito integrato di alta affidabilità di 500mV di diodi di vetro a singolo zenere

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Chip a circuito integrato APT75GP120JSC30 Transistor IGBT di potenza 1200V 75A con diodo SiC

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APT43GA90BSC30 Chip a circuito integrato 900V 43A Transistor di potenza IGBT con diodo SiC

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APT35GP120B2SC20 Circuito Integrato Chip 1200V 35A 543 W Transistor IGBT Singolo TO-247-3

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APT25GP120BSC15 Circuito Integrato Chip 1200V 69A 417W Transistor IGBT Singolo TO-247-3

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APT15DQ100BGVAO Chip di circuito integrato di 1000V 15A diodo rettificatore di recupero soffice ultra veloce

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JANSU2N2907AUB Circuito Integrato Chip 60 V 600 mA 500 mW PNP Transistor Bipolare Singolo

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JANSU2N2222AUB chip di circuito integrato transistor di commutazione al silicio NPN

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JANSR2N7589U3 Circuito integrato Chip 150V N-Channel MOSFET a prova di radiazioni

JANSR2N7584T1 Chip di circuito integrato 200V 45A Transistor MOSFET a canale N a potenza singola

JANSF2N7587U3 Chip di circuito integrato 100V Transistor MOSFET N-Channel con radioterapia

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Chip a circuito integrato APT75GP120JSC30 Transistor IGBT di potenza 1200V 75A con diodo SiC

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APT25GP120BSC15 Circuito Integrato Chip 1200V 69A 417W Transistor IGBT Singolo TO-247-3

APT15DQ100BGVAO Chip di circuito integrato di 1000V 15A diodo rettificatore di recupero soffice ultra veloce

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