La Cina Chip del circuito integrato

Chip di circuito integrato NTD250N65S3H Transistor MOSFET singoli a canale N 650V 13A

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato FDBL86210-F085 N-Channel 150V 169A Transistor MOSFET singoli

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NTMFD5C680NLT1G N-Channel Mosfet Array 60V MOSFET Transistor

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NVDS015N15MCT4G N-Channel 150V MOSFET Transistor TO-252-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NVH4L110N65S3F N-Channel 650V 30A Transistor MOSFET singoli

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NTMT064N65S3H N-Channel 650V 40A MOSFET Transistor 4-TDFN

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NVMFWS015N10MCLT1G N-Channel 100V 10.5A Transistor MOSFET singoli

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato IPW65R155CFD7 650V MOSFET Transistor TO247 Pacchetto

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato IPZ60R017C7 600V CoolMOS C7 SJ MOSFET Transistor

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Transistor 6-UDFN del MOSFET della fossa di N-Manica del chip BUK6D30-40EX 40V del circuito integrato

Numero della parte:BUK6D30-40EX

Configurazione:Non sposato

Tempo di caduta:33 NS
Transistor 6-TSOP del MOSFET di P-Manica del chip PMN100EPAX 60V del circuito integrato

Numero della parte:PMN100EPAX

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:130 mOhms

Pd - Dissipazione di potenza:1,7 W
Pacchetto dei transistor 20V DFN del MOSFET della fossa di P-Manica dei transistor BUK4D122-20PX

Numero della parte:BUK4D122-20PX

Tempo di ritardo d'apertura (tipo):5ns

Corrente di fonte (Tamb = °C) 25 - massimo:-1.9A

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