La Cina Chip del circuito integrato

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  Circuiti integrati elettronici programmabili di IC XC7S75-1FGGA484I di gate array del campo

  Numero del pezzo:XC7S75-1FGGA484I

  Completamente indipendente:2

  Registri a scorrimento:32 bit

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  Gate array programmabile del giacimento del circuito integrato XC7S100-1FGGA484I di Spartan-7 FPGA

  Numero del pezzo:XC7S100-1FGGA484I

  Numero dei blocchetti di matrice di logica - laboratori:LABORATORIO 8000

  Numero di I/Os:Ingresso/uscita 338

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  Isolatore di Manica 2.5Gbps LVDS Digital del chip ADN4621BRSZ 3750Vrms 2 del circuito integrato

  Numero del pezzo:ADN4621BRSZ

  Tasso di dati:2.5Gbps

  Immunità transitoria di modo comune (min):35kV/µs

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  20-SOIC isolatore di superficie di Manica 100Mbps SPI Digital del supporto ISOW7721FDFMR 5000Vrms 2

  Numero del pezzo:ISOW7721FDFMR

  Tempo di aumento/caduta (tipo):2.5ns, 2.4ns

  Distorsione di larghezza di impulso (massima):5ns

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  Supporto di superficie per tutti gli usi dell'isolatore 16-SOIC di MAX22444CAWE+ 200Mbps Digital

  Numero del pezzo:MAX22444CAWE+

  Tempo di caduta massimo:3 NS

  Tempo di aumento massimo:2,4 NS

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  Isolatore 20-SOIC 100Mbps di Digital di Manica del quadrato del chip ISOW7740FDFMR del circuito integrato

  Numero del pezzo:ISOW7740FDFMR

  Tasso di dati:100Mbps

  TpLH/tpHL di ritardo di propagazione (massimo):15.7ns, 15.7ns

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  chip del circuito integrato dell'isolatore MAX22166CAEE+ di Digital di Manica 3000Vrms 6

  Numero del pezzo:MAX22166CAEE+

  Input - lato 1/Side 2:6/0

  Polarità:Unidirezionale

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  Transistor TO-247-4 di N-Manica del carburo di silicio del chip IMZ120R030M1H del circuito integrato

  Numero del pezzo:IMZ120R030M1H

  Serie:CoolSiC™

  Tipo del FET:N-Manica

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  Sic transistor TO-263-8 1700V dei MOSFETs di N-Manica del MOSFET IMBF170R1K0M1 della fossa

  Numero del pezzo:IMBF170R1K0M1

  Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

  Vgs (massimo):+20V, -10V

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  Singolo pacchetto del MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 del FET dei transistor IMZA65R048M1H

  Numero del pezzo:IMZA65R048M1H

  VGS:-5 - 23 V

  corrente di perdita di Portone-fonte:Na 100

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  Transistor TO-247-4 dei FETs del MOSFET del carburo di silicio del MOSFET IMZ120R220M1H di CoolSiC singoli

  Numero del pezzo:IMZ120R220M1H

  Pacchetto:TO-247-4

  Conteggio di Pin:4 perni

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  650V FETs dei MOSFETs TO-247-3 del carburo di silicio di N-Manica dei transistor IMW65R057M1H singoli

  Numero del pezzo:IMW65R057M1H

  VDS@TJ =25°C:650V

  RDS (sopra), tipo:57mΩ

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